黑龙江大学高扬获国家专利权
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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116400519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310528153.2，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器是由高扬;周亚新;聂思函;李鑫;孙鹏飞;苏丽晶设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器在说明书摘要公布了：本发明基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器属于微纳光电子技术领域；由多个可调控结构单元周期排列构成，太阳光以平面波形式入射，每个可调控结构单元由下到上依次为基底层、缓冲层和天线；基底层和缓冲层的形状为正方形，天线为三层圆筒结构；本发明结构简单，在3～5μm和8～14μm的大气窗口中，平均发射率分别约为0.20和0.18，在5～8μm的非大气窗口中的平均发射率约为0.80；且不受光源的偏振情况影响，在0°～60°入射角范围内都有较好的发射效果；GST的加入使热发射器不仅能够满足大气窗口低发射率与非大气窗口辐射散热的要求，且可以调谐红外发射率光谱，实现在红外“隐身”和“非隐身”状态之间切换。
本发明授权基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器在权利要求书中公布了：1.基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器，其特征在于，由多个可调控结构单元在XOY平面周期排列构成，太阳光以平面波形式入射，每个所述可调控结构单元由下到上依次为Au材料的基底层1、GST材料的缓冲层2和天线3；所述基底层1和缓冲层2的形状为正方形，所述天线3为圆筒结构，由上到下依次包括材料为Al的上层结构3-1、材料为GST的中层结构3-2和材料为Al的下层结构3-3，所述上层结构3-1、中层结构3-2和下层结构3-3形成圆筒结构； 定义基底层1、缓冲层2和天线3的相对位置为：所述基底层1所在平面为XOY平面，即水平面，基底层1中心位置与坐标原点重合，基底层1的两组对边分别平行于X轴和Y轴，所述缓冲层2与基底层1的形状、大小和摆放方向相同，在所述天线3中的圆筒结构中，中心位置与坐标原点重合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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