理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司马哲国获国家专利权
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龙图腾网获悉理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利PVD设备以及PVD沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116497329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310451910.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权PVD设备以及PVD沉积方法是由马哲国;张云飞;王宇宙;闫涛设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本PVD设备以及PVD沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供PVD设备以及PVD沉积方法。所述PVD设备包括多个布置在溅射腔中的磁控溅射旋转阴极，所述磁控溅射旋转阴极包括靠近溅射腔入口的第一旋转阴极以及位于第一旋转阴极与溅射腔出口之间的多个第二旋转阴极，所述第一旋转阴极的直径为所述第二旋转阴极的直径的50％‑80％，所述第一旋转阴极的工作功率为所述第二旋转阴极的工作功率的50％‑60％，所述第一旋转阴极与所述第二旋转阴极具有相同的换耙周期。本发明能抑制换靶初期太阳能电池效率的降低，能提高成膜均匀性以及靶材利用率，能提高PVD设备的运行时间及换靶周期。
本发明授权PVD设备以及PVD沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种PVD设备，其包括多个布置在溅射腔中的磁控溅射旋转阴极，其特征在于，所述磁控溅射旋转阴极包括靠近溅射腔入口的第一旋转阴极以及位于第一旋转阴极与溅射腔出口之间的多个第二旋转阴极，所述第一旋转阴极的直径为所述第二旋转阴极的直径的50％-80％，所述第一旋转阴极的工作功率为所述第二旋转阴极的工作功率的50％-60％，所述第一旋转阴极与所述第二旋转阴极具有相同的换耙周期； 其中所述第一旋转阴极的工作电压范围为250V-270V，所述第二旋转阴极的工作电压范围为290V-310V，第一旋转阴极的磁场强度范围为750G-800G，第二旋转阴极的磁场强度范围为800G-900G。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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