长沙泰科阳微电子有限公司陈杨获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙泰科阳微电子有限公司申请的专利一种基准电压缓冲器电路及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116204032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310322665.3,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种基准电压缓冲器电路及设备是由陈杨;唐书林;刘树凯;黄岚芬设计研发完成,并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基准电压缓冲器电路及设备在说明书摘要公布了:本发明提供一种基准电压缓冲器电路及设备,该电路包括反馈模块和输出模块,反馈模块包括第一电压输入端和第二电压输入端,输出模块包括第一电压输出端和第二电压输出端,电路还包括第一电平转换模块和第二电平转换模块,第一电平转换模块和第二电平转换模块均与反馈模块连接,反馈模块与输出模块连接,第一电平转换模块用于对第一电压输入端所输入的第一输入电压进行电压平移,以降低第一电压输出端所输出的第一输出电压的电压最小值,第二电平转换模块用于对第二电压输入端所输入的第二输入电压进行电压平移,以提高第二电压输出端所输出的第二输出电压的电压最大值。本发明具有提高输出电压的电压范围的效果。
本发明授权一种基准电压缓冲器电路及设备在权利要求书中公布了:1.一种基准电压缓冲器电路,所述电路包括反馈模块和输出模块,所述反馈模块包括第一电压输入端和第二电压输入端,所述输出模块包括第一电压输出端和第二电压输出端,其特征在于,所述电路还包括第一电平转换模块和第二电平转换模块,所述第一电平转换模块和所述第二电平转换模块均与所述反馈模块连接,所述反馈模块与所述输出模块连接,所述第一电平转换模块用于对所述第一电压输入端所输入的第一输入电压进行电压平移,以降低所述第一电压输出端所输出的第一输出电压的电压最小值,所述第二电平转换模块用于对所述第二电压输入端所输入的第二输入电压进行电压平移,以提高所述第二电压输出端所输出的第二输出电压的电压最大值; 所述反馈模块包括放大器A1、放大器A2、NMOS管M1a、PMOS管M2a、NMOS管M3a、电阻器R1a、电阻器R2a、电阻器R3a、电容器C1a和电容器C2a,所述第一电压输入端与所述放大器A1的正相输入端连接,所述放大器A1的反相输入端与所述电阻器R1a的一端连接,所述放大器A1的输出端与所述第一电平转换模块的输入端连接,所述第一电平转换模块的输出端连接于所述NMOS管M1a的栅极,所述NMOS管M1a的源极与所述放大器A1的反相输入端连接,所述NMOS管M1a的漏极外接有电源电压,所述NMOS管M1a的衬底与所述电阻器R2a的一端连接,所述电阻器R2a的另一端与所述电容器C1a的一端以及所述输出模块连接,所述电容器C1a的另一端接地; 所述第二电压输入端与所述放大器A2的正相输入端连接,所述放大器A2的反相输入端与所述电阻器R1a的另一端连接,所述放大器A2的输出端与所述第二电平转换模块的输入端连接,所述第二电平转换模块的输出端连接于所述PMOS管M2a的栅极,所述PMOS管M2a的源极与所述放大器A2的反相输入端连接,所述PMOS管M2a的漏极接地,所述PMOS管M2a的衬底与所述电阻器R3a的一端连接,所述电阻器R3a的另一端与所述电容器C2a的一端以及所述输出模块连接,所述电容器C2a的另一端接地; 所述NMOS管M3a并联于所述电阻器R1a的两端,所述NMOS管M3a的漏极与所述放大器A1的反相输入端连接,所述NMOS管M3a的源极与所述放大器A2的反相输入端连接,所述NMOS管M3a的漏极与栅极短接。
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