中国科学院上海微系统与信息技术研究所郑永辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310286503.9，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器是由郑永辉;张真真;王长;曹俊诚设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极5，所述上金属电极5两两之间通过微带线连接，形成上电极层；所述上金属电极5包括4个独立的且尺寸互不相同的微腔。本发明利用二维微纳结构和SPPs机理实现的THzQWP光耦合结构，使得THzQWP既能实现电压可调谐，又能实现阵列化宽带探测，具有更好的市场应用前景。
本发明授权一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器在权利要求书中公布了：1.一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；其特征在于：所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极5，每一排所述上金属电极5两两之间通过微带线连接，形成上电极层；所述微腔阵列单元包括4个独立的且尺寸互不相同的微腔，所述微腔为外围边长相同的正方形，然后在上金属电极5中分别引入两个互相垂直的“工”字形缺陷；所述微腔阵列单元由下至上依次包括衬底1、下金属电极板2、外延层10和上金属电极5，外延层10的外围几何尺寸与上金属电极5的外围几何尺寸相同。
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