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龙图腾网获悉河北工业大学申请的专利一种基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116212231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310242226.1，技术领域涉及：A61N1/20；该发明授权一种基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法是由李梦凡;王俊易;魏冉;漆恩鸣;赵琪设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法。包括基于脑机接口的电刺激阶段和基于图像辨别的记忆巩固阶段。所述基于脑机接口的电刺激阶段是采用经颅直流电刺激配合脑机接口来轮次向头皮固定点位施加电刺激。所述基于图像辨别的记忆巩固阶段是通过学习、回忆和判断图像信息来检验记忆增强效果。本发明有益效果：本发明在技术方面可实现性强，通过新式记忆力实验改善了现有记忆力实验记忆量大、易受主观状态影响的问题，结合脑机接口技术，改善现有研究无法从结构层面深层探索记忆增强的特征，记忆实验在一定程度上起到记忆巩固的作用，并且可为记忆能力是否增强提供数据支持。

本发明授权一种基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法在权利要求书中公布了：1.基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法，其特征在于利用以神经调控技术为组成的双向脑机接口技术实现“从脑到机”和“从机到脑”的双向通道，在电刺激增强记忆的基础上，获取人脑脑电信号，从信号层面探究记忆增强效果；增加记忆巩固阶段，从行为学角度将记忆增强效果数据化，更直观展现出记忆增强的程度，为刺激点位的修正提供数据依据； 所述基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法，分为基于脑机接口的电刺激阶段和基于图像辨别的记忆巩固阶段两个阶段组成，其特征在于：所述基于脑机接口的电刺激阶段通过双向脑机接口技术实现双通回路，刺激记忆相关脑区点位，增强记忆力，从脑电信号层面观察记忆增强的效果；所述基于图像辨别的记忆巩固阶段巩固并检测记忆力提升水平；包括以下步骤： 步骤S1：选择经颅直流电刺激模式进行电刺激； 步骤S2：记忆力实验测试用户判断正确率，巩固用户记忆能力； 步骤S3：记忆力实验同时采集脑电信号； 所述的基于脑机接口的经颅直流电刺激记忆增强方法，其特征在于：在基于图像辨别的记忆巩固阶段，用户需要进行物体位置判断和分类，分类原则为将一个十六宫格平均切分的四个四宫格，每个四宫格所包含的四个小格位置为一类，当两张间隔出现的图中物体处于同一类位置时，用户按键进行分类；所述的判断图片并分类具体为：每次判断过程中小球会随机出现在一个4x4的十六宫格的任意位置，当小球出现在十六宫格4个角上的同一个2x2的四宫格中时为一类；每张图片展示的时间为3秒，用户需要判断两张不连续的图片是否为一类，如果两张图片为一类，用户需按动Y键进行分类处理，若不为一类，用户需按动F键；最后通过统计用户按Y键的正确率与按F键的正确率分析用户的记忆力增强效果。

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