江苏第三代半导体研究院有限公司王阳获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利LED器件的外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310179491.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权LED器件的外延片及其制备方法是由王阳;林志宇设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED器件的外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED器件的外延片及其制备方法。LED器件的外延片包括：衬底、成核层以及外延结构层，衬底的表面具有第一区域以及与第一区域邻接的第二区域；成核层设置在第一区域；外延结构层包括第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元设置在成核层上，第二发光单元设置在衬底表面的第二区域，其中，第一发光单元主要由Ga面III族氮化物材料组成，第二发光单元主要由N面III族氮化物材料组成。通过采用本发明，提高了LED器件的发光效率。
本发明授权LED器件的外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED器件的外延片，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底的表面具有第一区域以及与所述第一区域邻接的第二区域； 成核层，设置在所述第一区域； 外延结构层，包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元设置在所述成核层上，所述第二发光单元设置在所述第二区域，其中，所述第一发光单元包括Ga面III族氮化物材料，所述第一发光单元包括依次层叠设置在所述成核层上的Ga面n型半导体层、Ga面发光层、Ga面电子阻挡层和Ga面p型半导体层，所述第二发光单元包括N面III族氮化物材料，所述第二发光单元包括依次层叠设置在所述第二区域上的N面n型半导体层、N面发光层、N面电子阻挡层和N面p型半导体层，所述Ga面n型半导体层与所述N面n型半导体层、所述Ga面发光层与所述N面发光层、所述Ga面电子阻挡层与所述N面电子阻挡层、所述Ga面p型半导体层与所述N面p型半导体层均是一体形成的，所述Ga面发光层与所述N面发光层位于同一平面内，所述Ga面发光层中的In组分含量小于所述N面发光层中的In组分含量。
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