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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种基于平面芯片的暗场显微镜检测单个气溶胶纳米颗粒吸湿增长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297447B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310167987.5，技术领域涉及：G01N21/84；该发明授权一种基于平面芯片的暗场显微镜检测单个气溶胶纳米颗粒吸湿增长装置是由范泽滔;张斗国设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于平面芯片的暗场显微镜检测单个气溶胶纳米颗粒吸湿增长装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于平面芯片的暗场显微镜检测单个气溶胶纳米颗粒吸湿增长装置，包括：像面探测器1、成像管镜2、空气物镜3、控制腔4，平面芯片5、750nm滤波片6、750nmLED光源7。其中平面芯片5盖玻片8、顶层多层介质薄膜9、散射层10以及底层多层介质薄膜11组成。由LED光源发出的准直光束入射到平面芯片后，光束以空心的锥形光出射，照射沉积在平面芯片上的气溶胶颗粒。气溶胶颗粒的散射光被成像系统接收，形成暗场成像。当纳米气溶胶因为周围环境湿度增加而发生吸湿增长时，纳米气溶胶的散射信号会发生明显的改变，通过检测探测器上纳米气溶胶的散射强度，对颗粒的吸湿进行实时的测量。

本发明授权一种基于平面芯片的暗场显微镜检测单个气溶胶纳米颗粒吸湿增长装置在权利要求书中公布了：1.一种基于平面芯片的暗场显微镜检测单个气溶胶纳米颗粒吸湿增长装置，其特征在于：所述装置包括：像面探测器（1）、成像管镜（2）、空气物镜（3）、控制腔（4），平面芯片（5）、750nm滤波片（6）和750nmLED光源（7）；其中平面芯片（5）由从上到下依次叠层设置的盖玻片（8）、顶层多层介质薄膜（9）、散射层（10）以及底层多层介质薄膜（11）组成； 其中，所述的750nmLED光源（7），发出准直750nm光束经过750nm滤波片（6）入射到平面芯片（5）中的底层多层介质薄膜（11）；由于底层多层介质薄膜的能带在光束的数值孔径小于0.2时是全透的，因此准直的750nm光束直接透射打在散射层（10）并被均匀散射，产生各个角度的传播波矢，入射到顶层多层介质薄膜（9）；散射的750nm光束在顶层多层介质薄膜（9）的能带限制下，对光束进行筛分；散射光中数值孔径小于0.7的光束被顶层多层介质薄膜（9）反射回到散射层（10），并在底层多层介质薄膜（11）的限制下，将部分散射光束再次入射到顶层多层介质薄膜（9）；而散射光中数值孔径大于0.7的光束直接以空心的锥形光束出射，照射到沉积在盖玻片（8）的纳米气溶胶上；被照射的纳米气溶胶环境湿度由控制腔（4）控制；控制腔（4）可以改变腔体环境的相对湿度，进而改变气溶胶的物理化学特性，使其光学特性发生变化；被照射的纳米气溶胶的散射光变化由空气物镜（3）收集，由于空气物镜的收集数值孔径小于平面芯片光束的出射数值孔径，因此空气物镜只收集到颗粒的纯散射光，散射光再经过成像管镜（2），最后成像再像面探测器（1）上，形成对纳米气溶胶的暗场成像。

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