中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司王浩敏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司申请的专利可提供低能注入离子的石墨烯处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310162842.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权可提供低能注入离子的石墨烯处理装置是由王浩敏;王祎博;王慧山;姜程鑫;王伟设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本可提供低能注入离子的石墨烯处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种可提供低能注入离子的石墨烯处理装置，包括放样仓、处理仓，以及隔离阀；放样仓包括第一腔体、样品座和样品输送杆，样品座位于第一腔体内；处理仓包括第二腔体、样品台、等离子体线圈，以及上电极网和下电极网；样品台、上电极网和下电极网位于第二腔体内，上电极网和下电极上下间隔设置且高度可调；样品输送杆可将样品座传送至样品台上，和或自样品台将样品座传出，通过等离子体线圈放电产生的等离子体可通过上电极网和下电极网，以在处理仓内对位于样品座上的样品进行处理。本发明可以提供较高质量的等离子体发生真空环境，减少大气环境污染，提升等离子体产生的效率，保证等离子体的纯度与可靠性，满足不同的处理需要。
本发明授权可提供低能注入离子的石墨烯处理装置在权利要求书中公布了：1.一种可提供低能注入离子的石墨烯处理装置，其特征在于，包括放样仓、处理仓，以及设置于放样仓和处理仓之间，用于控制放样仓和处理仓通断的隔离阀；所述放样仓包括第一腔体、样品座和样品输送杆，所述样品座位于第一腔体内；所述处理仓包括第二腔体、样品台、等离子体线圈，以及可供等离子体通过的上电极网和下电极网；样品台、上电极网和下电极网位于第二腔体内，上电极网和下电极网上下间隔设置且高度可调，所述上电极网和下电极网均包括网眼状电极以及位于电极周向，由绝缘材料制成的弹性膨胀结构，通过弹性膨胀结构的支撑将对应电极固定于第二腔体内；所述放样仓的样品输送杆可将样品座传送至样品台上，和或自样品台将样品座传出，通过等离子体线圈放电产生的等离子体可通过上电极网和下电极网，以在处理仓内对位于样品座上的样品进行处理。
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