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龙图腾网获悉上海瓴瑞微电子有限公司申请的专利基准电压电流产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116204028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310061571.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权基准电压电流产生电路是由李天望设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基准电压电流产生电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压电流产生电路。一种基准电压电流产生电路，包括：一启动电路，具有启动端；一产生电路，与启动端连接，由启动电路启动产生电路；产生电路能同时产生基准电压和基准电流。本发明采用一个电路即可实现基准电压和基准电流，能大大节省芯片面积，降低功耗。

本发明授权基准电压电流产生电路在权利要求书中公布了：1.一种基准电压电流产生电路，其特征在于，包括： 一启动电路，具有启动端； 一产生电路，与所述启动端连接，由所述启动电路启动所述产生电路； 所述产生电路包括： 一第一电阻，一端连接所述启动电路的启动端； 一第二电阻，一端连接所述启动电路的启动端，另一端接地； 一第一MOS管，栅极连接所述启动电路的启动端，漏极连接所述第一电阻的另一端，源极接地； 一第二MOS管，栅极连接所述启动电路的启动端，源极接地； 一第三MOS管，栅极连接所述第一电阻的另一端，源极接地； 一第四MOS管，栅极连接启动电路的启动端，源极连接所述第二MOS管的漏极； 一第五MOS管，栅极连接第四MOS管的栅极，源极连接所述第三MOS管的漏极； 一第六MOS管，栅极连接漏极，漏极连接所述第四MOS管的漏极，源极连接电源输入端； 一第七MOS管，栅极连接所述第六MOS管的栅极，漏极连接所述第五MOS管的漏极，源极连接所述电源输入端； 一第八MOS管，栅极连接所述第五MOS管的漏极和所述第七MOS管的漏极之间的公共端，漏极分别连接所述第四MOS管的栅极、所述第五MOS管的栅极，源极连接所述电源输入端； 一第九MOS管，栅极连接所述第八MOS管的栅极，漏极作为基准电流输出端，源极连接所述电源输入端； 一第十MOS管，栅极连接所述第八MOS管的栅极，漏极作为基准电压输出端，源极连接所述电源输入端； 一第三电阻，一端连接所述第十MOS管的漏极； 一第四电阻，一端连接所述第三电阻的另一端，另一端接地。

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