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龙图腾网获悉湖南汇思光电科技有限公司申请的专利一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116121856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310006831.9，技术领域涉及：H01S5/00；该发明授权一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法是由杨骏捷;贾慧设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法，将硅衬底送入MBE腔中去除硅衬底表面的氧化层；在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层N型双掺杂锗种子层；在所述N型双掺杂锗种子层上进行低温无掺杂锗外延生长，形成低温无掺杂锗外延层；在所述低温无掺杂锗外延层上进行不同温度下的无掺杂锗外延生长，形成变温无掺杂锗外延层，完成后在MBE腔内进行循环退火；在所述退火后的变温无掺杂锗外延层上进行高温锗盖层生长，得到低穿透位错密度薄锗缓冲层。该薄锗缓冲层可用来取代较厚砷化镓缓冲层进而在不影响激光器性能的基础上大幅度降低激光器的总厚度，从而避免在激光器在后续生长中产生的微裂缝问题，提高激光器产能。

本发明授权一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双掺杂的低穿透位错密度薄锗缓冲层制备方法，其特征在于，所述方法包括： S1、将硅衬底送入MBE腔中，并利用MBE腔内高温去除硅衬底表面的氧化层； S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层N型双掺杂锗种子层； S3、在所述N型双掺杂锗种子层上进行低温无掺杂锗外延生长，形成低温无掺杂锗外延层； S4、在所述低温无掺杂锗外延层上进行不同温度下的无掺杂锗外延生长，形成变温无掺杂锗外延层，完成后在MBE腔内进行循环退火； S5、在所述退火后的变温无掺杂锗外延层上进行高温锗盖层生长，得到低穿透位错密度薄锗缓冲层； 所述S2中的N型双掺杂锗种子层中的N型双掺杂具体为在锗生长的同时掺入锑和磷； 所述S4具体实现方式包括： S41、将MBE腔内温度以5度每分钟升至450-500℃并保持，在升温的同时在所述低温无掺杂锗外延层生长一层厚度为300nm的第一变温无掺杂锗外延层，生长速率为1埃每秒； S42、在MBE腔内温度达到450-500℃时，继续生长一层厚度为90nm的第二变温无掺杂锗外延层； S43、将MBE腔内温度升至850-900℃并保持5分钟，然后以50℃每分钟降温至550-600℃并保持5分钟，完成1次退火； S44、重复操作步骤S43共5次，完成5次循环退火。

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