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龙图腾网获悉南京国兆光电科技有限公司申请的专利一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211713104.8，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构是由刘腾飞;杨建兵;秦昌兵;张阳;唐宇;王玉珠设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构在说明书摘要公布了：一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构，包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层组成的复合空穴传输层结构，空穴注入层结构由空穴传输主体材料以及P型掺杂材料组成，空穴传输层由空穴传输主体材料与空穴传输次主体材料组成，电子阻挡层由空穴传输次主体材料与电子阻挡材料组成，且构成空穴传输主体材料的HOMO能级与空穴传输次主体材料的HOMO能级不同。空穴传输次主体材料的HOMO能级大于电子阻挡材料的HOMO能级。本发明通过材料设计产生两个空穴传输通道，从而分别提升两个发光单元的空穴注入传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应。通过降低空穴传输势垒来降低热效应，从而实现OLED器件的高寿命表现。

本发明授权一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构在权利要求书中公布了：1.一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构，其特征在于：包括由下至上依次布置的硅基CMOS驱动基板、反射阳极阵列、有机功能层、半透明阴极层、薄膜封装层，所述有机功能层包括：第一有机功能层和位于第一有机功能层上的第二有机功能层；所述第一有机功能层包括第一复合空穴传输结构、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层，所述第二有机功能层包括第二复合空穴传输结构、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层； 所述第二有机功能层的第二复合空穴传输结构包括第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二电子阻挡层，所述的第二空穴注入层由第二空穴传输主体材料以及P型掺杂材料组成；第二空穴传输层结构由前述第二空穴传输主体材料与第二空穴传输次主体材料组成，第二电子阻挡层由前述第二空穴传输次主体材料与第二电子阻挡材料组成，且构成第二空穴传输主体材料的HOMO能级与第二空穴传输次主体材料的HOMO能级不同，第二空穴传输次主体材料的HOMO能级大于第二电子阻挡材料的HOMO能级。

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