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龙图腾网获悉安徽芯动联科微系统股份有限公司;北京芯动致远微电子技术有限公司申请的专利自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115784143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211688041.5，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法是由华亚平;苏佳乐设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法，通过在单晶硅圆片上刻蚀多个深槽、氧化单晶硅圆片、淀积多晶硅的方法，形成多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极，单晶硅晶格完美、物理特性好，可用于制造可动电极和功能结构；多晶硅固定在单晶硅固定柱上作为固定电极。单晶硅可动电极和多晶硅固定电极通过一次光刻刻蚀的图形决定，实现自对准，电极间水平方向的电极间距由二氧化硅层的厚度决定，本发明的多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极具有尺寸精度高、加工重复性好、性能一致性好，加工工艺简单的优点，而且由于不需要用到价格较高的SOI圆片，也降低了成本。

本发明授权自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）在单晶硅圆片表面通过光刻胶掩模刻蚀单晶硅，形成第一凹腔、边缘键合区和固定键合柱； （2）在第一凹腔内通过光刻胶掩模刻蚀形成深沟槽，单晶硅圆片在水平方向上被深沟槽分割成单晶硅可动电极柱、单晶硅固定柱和边缘区，单晶硅固定柱上蚀刻形成第一凹腔台阶和固定键合柱，边缘区蚀刻形成边缘台阶；在垂直方向上被分割为衬底层和MEMS结构层； （3）氧化步骤（2）处理后的单晶硅圆片，生成二氧化硅层，然后在第一凹腔台阶上通过光刻胶掩模刻蚀二氧化硅层，形成接触孔； （4）步骤（3）处理后的在单晶硅圆片表面通过原位参杂的CVD方法淀积多晶硅层并退火； （5）无掩模返刻多晶硅层，除去一部分多晶硅层，形成多晶硅第二表面，露出单晶硅固定柱和边缘区的二氧化硅层第一表面，多晶硅第二表面低于二氧化硅层第一表面； （6）用光刻胶掩模覆盖单晶硅固定柱，刻蚀多晶硅层，光刻胶掩模保护下的多晶硅未被刻蚀掉，形成多晶硅固定区，边缘台阶上的多晶硅被刻蚀掉，露出二氧化硅，深沟槽内的多晶硅被部分刻蚀掉，形成多晶硅第三表面，多晶硅第三表面低于单晶硅可动电极柱第一表面，深沟槽中剩余的多晶硅构成MEMS结构层的固定电极； （7）腐蚀掉步骤（6）处理过的单晶硅圆片的表面二氧化硅层，露出单晶硅可动电极柱第一表面和边缘键合区第一表面；然后除去光刻胶掩模，腐蚀除去固定键合柱表面的二氧化硅层，露出固定键合柱第一表面，形成结构圆片； （8）将步骤（7）的结构圆片键合到底板圆片上，形成键合圆片，所述的底板圆片由单晶硅衬底和绝缘层组成； （9）去除衬底层，露出深沟槽背面的二氧化硅层，用光刻胶掩模覆盖键合圆片的单晶硅固定柱和边缘键合区，刻蚀单晶硅，单晶硅可动电极柱被刻蚀，形成单晶硅可动电极柱第二表面，单晶硅可动电极柱第二表面低于深沟槽背面上的二氧化硅层第二表面； （10）除去键合圆片上的光刻胶，腐蚀掉多晶硅层与单晶硅可动电极柱之间的二氧化硅层，释放单晶硅可动电极柱，形成单晶硅可动电极，深沟槽中的多晶硅形成多晶硅固定电极。

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