杭州电子科技大学;东方日升新能源股份有限公司臧月获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学;东方日升新能源股份有限公司申请的专利无ITO电极的钙钛矿/硅异质结两端串联太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211676848.7，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权无ITO电极的钙钛矿/硅异质结两端串联太阳能电池及其制备方法是由臧月;刘洋;万义茂;杨伯川;胡子阳;严文生设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本无ITO电极的钙钛矿/硅异质结两端串联太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种无ITO电极的钙钛矿硅异质结两端串联太阳能电池及其制备方法，本发明依次设置的减反射薄膜、第一电极、钙钛矿太阳能电池、硅异质结太阳能电池和第二电极。本发明提供的减反层可以降低光反射，增大光吸收；提供的第一电极为金属网格银纳米线电极，利用金属网格的一致性和银纳米线良好的透过率，可以使更多的光入射并透过电极，增加了器件的光吸收率。其次，在钙钛矿太阳能电池中，提供了双电子传输层和双空穴传输层来优化由界面层的引入所导致的寄生光吸收，使得器件的稳定性得到了改善。此外，在硅异质结太阳能电池中采用了光学微腔结构，在这种结构下的太阳能电池可以获得更高的转换效率，在光电性能方面表现的更为优异。
本发明授权无ITO电极的钙钛矿/硅异质结两端串联太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.无ITO电极的钙钛矿硅异质结两端串联太阳能电池，其特征在于：所述的无ITO电极的钙钛矿硅异质结两端串联太阳能电池包括从上到下依次设置的减反射薄膜、第一电极、钙钛矿太阳能电池、硅异质结太阳能电池、第二电极； 所述的第一电极为金属网格银纳米线电极来替代常规的ITO电极； 所述的钙钛矿太阳能电池包括从上到下依次设置的第一空穴传输层、第二空穴传输层、钙钛矿吸收层、第一电子传输层和第二电子传输层； 所述的硅异质结太阳能电池包括从上至下依次设置的构成微腔结构的第一透明导电薄膜、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、硅片衬底、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层和构成微腔结构的第二电极； 所述的微腔结构的第一透明导电薄膜采用了具有MoO3AgMoO3透明电极的微腔结构，银薄膜层的厚度为5~15nm；第二电极为致密的金属银薄膜层，厚度为50~200nm。
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