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龙图腾网获悉无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种嵌入三维堆叠Trench MOS的功率集成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211593951.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种嵌入三维堆叠Trench MOS的功率集成器件是由朱少立;吴建伟;李燕妃;孙建洁设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌入三维堆叠Trench MOS的功率集成器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种嵌入三维堆叠TrenchMOS的功率集成器件，属于半导体功率器件领域，包括集成于同一芯片上的半桥结构单元、独立VDMOS单元和控制单元；所述半桥结构单元位于芯片的右侧，为上下结构，包括上下两个纵向VDMOS器件；所述独立VDMOS单元设于芯片的左下方；所述控制单元位于芯片的左上方。本发明将控制单元、半桥结构单元、独立VDMOS单元集成在一个芯片上，与使用分立器件组成电路相比，有利于减小电路面积，提高芯片集成度；控制单元可根据芯片实际需求进行设计，在提高芯片集成度的同时，可使集成器件精准应用。

本发明授权一种嵌入三维堆叠Trench MOS的功率集成器件在权利要求书中公布了：1.一种嵌入三维堆叠TrenchMOS的功率集成器件，其特征在于，包括集成于同一芯片上的半桥结构单元101、独立VDMOS单元102和控制单元103； 所述半桥结构单元101位于芯片的右侧，为上下结构，包括上下两个纵向VDMOS器件；所述独立VDMOS单元102设于芯片的左下方；所述控制单元103位于芯片的左上方；其中， 所述半桥结构单元101包括由下至上依次层叠设置的N型衬底1、第一N型轻掺杂漂移区4、第一P型轻掺杂基区5、第一N型重掺杂源漏区6、第二N型轻掺杂漂移区7和第二P型轻掺杂基区8；所述半桥结构单元101的右侧设置有第一P型重掺杂基区9；所述第二P型轻掺杂基区8中设置有并列的第二N型重掺杂源漏区11和第二P型重掺杂基区10； 所述独立VDMOS单元102包括由下至上层叠设置的N型衬底1、第一N型轻掺杂漂移区4、第三P型轻掺杂基区15和第三N型重掺杂源漏区16；所述独立VDMOS单元102的左侧设置有第三P型重掺杂基区12； 所述控制单元103位于第四N型轻掺杂漂移区13中，所述第三P型重掺杂基区12位于所述第四N型轻掺杂漂移区13的左侧； 所述独立VDMOS单元102和所述控制单元103的右侧与所述半桥结构单元101的左侧之间设置有第一沟槽栅2和第二沟槽栅3。

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