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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利一种快速淬灭与复位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116026456B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211586119.2，技术领域涉及：G01J1/44；该发明授权一种快速淬灭与复位电路是由王明富;刘光林;金峥;冯志辉;刘博;周向东设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速淬灭与复位电路在说明书摘要公布了：一种快速淬灭与复位电路，该电路首先采用高侧淬灭子电路和低侧淬灭子电路同时对雪崩二极管的雪崩电流进行快速淬灭，然后再通过低侧复位子电路对雪崩二极管阳极电压进行快速复位，最后通过高侧复位电路对雪崩二极管阴极电压进行复位，使雪崩二极管恢复到可进行下一次产生雪崩电流的准备状态，接收下一次单光子信号。本发明旨在解决远距离激光雷达测距中要求SPAD高探测效率和低死时间之间相互制约问题，相比传统淬灭方法的雪崩二极管探测效率提高了25％左右，而死时间则降低了16％左右；并通过设计高侧复位子电路，可有效避免雪崩二极管由于雪崩电流过大引起的雪崩二极管损毁的问题。主要应用于采用雪崩二极管进行高灵敏度单光子探测场合。

本发明授权一种快速淬灭与复位电路在权利要求书中公布了：1.一种快速淬灭与复位电路，其特征在于：所述电路包括高侧淬灭子电路，高侧复位子电路，低侧淬灭子电路，低侧复位子电路，雪崩二极管D1，采样电阻R1，高压供电电源； 所述雪崩二极管D1的阴极引入所述高侧淬灭子电路； 所述高侧淬灭子电路包括：交流耦合电容C2，保护二极管D2和D3，限流电阻R4，R5和R6，推挽输出晶体管Q2和Q3，上拉电阻R7以及电平转换晶体管Q4，第一淬灭供电电源；所述推挽输出晶体管Q2和电平转换晶体管Q4为NPN型射频晶体管，推挽输出晶体管Q3为PNP型射频晶体管； 所述雪崩二极管D1的阳极引入低侧淬灭子电路； 所述低侧淬灭子电路包括：交流耦合电容C3，限流电阻R8，上拉电阻R9，晶体管Q5，保护二极管D4和D5，第二淬灭供电电源；所述晶体管Q5为PNP型射频晶体管； 所述雪崩二极管D1的阴极引入高侧复位子电路； 所述高侧复位子电路包括：偏置电阻R2和R3，交流耦合电容C1，晶体管Q1；所述晶体管Q1为PNP型射频晶体管； 所述雪崩二极管D1的阳极引入了低侧复位子电路； 所述低侧复位子电路包括：雪崩二极管D1，采样电阻R1，晶体管Q6；所述晶体管Q6为NPN型射频晶体管； 所述高侧淬灭子电路、低侧淬灭子电路被配置为同时有效，且持续时间一致，对雪崩二极管D1阴极和阳极同时淬灭；淬灭结束后低侧复位子电路立即置为有效，对雪崩二极管D1的阳极进行复位；低侧复位结束后，高侧复位子电路立即置为有效，雪崩二极管D1阴极复位到高压供电电源电压，雪崩二极管D1准备好进行下一次雪崩激发。

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