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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)申请的专利一种用于增强CAP信号的超晶格的材料检测方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211553503.2，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种用于增强CAP信号的超晶格的材料检测方法及其应用是由何枫;赵旭;吴俊辉;孟鑫;王嘉威;徐小川设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于增强CAP信号的超晶格的材料检测方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于增强CAP信号的超晶格的材料检测方法，其包括如下步骤：S1、建立数学模型，所述数学模型如公式1所示；本发明公开了一种软件模拟的方法，其以数学模型的角度出发，详细分析了可以影响CAP信号的光‑声换能器材料的性质，即线性热膨胀系数、体积模量、比热、密度、声速、和折射率均会影响材料中的应变强度。同时分析了不同参数与CAP信号大小的相关性，指出了不同参数对于CAP信号强度的评判标准。指出即使材料中热膨胀系数不是很高时，也可以通过提升其他性质来增强CAP信号。

本发明授权一种用于增强CAP信号的超晶格的材料检测方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于增强相干声学声子CAP信号的超晶格的材料检测方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、建立数学模型，所述数学模型如公式1所示； 其中，η为泵浦源在吸光介质中产生的热应变的应变强度，T为介质交界面处的透射率，k为真空条件下泵浦光波数，z为多层薄膜结构上的任意一点，与基板交界面的垂直距离； F表示泵浦光能流密度，B表示体积模量；β表示线性热膨胀系数；ρ表示密度；C表示比热；v表示声速；N和K分别表示折射率的实部和虚部； 字母的下标1表示多层结构中的等效参数，字母的下标2表示在待测样品中的参数； a0和a1表示与均质材料折射率相关的系数，如公式2所示； a0＝k+k1k1+k2+k-k1k1-k2exp2ik1d a1＝2kk1+k22 其中，k1表示激发光在多层结构中的等效波数；k2表示待测透明材料中激发光波数；d表示薄膜厚度；i表示虚数； S2、在软件仿真条件下，基于所述数学模型，选择吸光介质，模拟根据公式1和公式2得出ηz和T的乘积，并作出应变分布图； 所述吸光介质为超晶格材料； 由泵浦光和探测光相干涉后，产生所述CAP信号。

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