买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一体化LNA PA集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211530979.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一体化LNA PA集成器件及其制备方法是由杨凌;于谦;张濛;武玫;邹旭;时春州设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一体化LNA PA集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一体化LNAPA集成器件及其制备方法，包括：在SiC衬底上，自下而上依次生长GaN缓冲层、第一GaN沟道层、InAlN势垒层、第二GaN沟道层和AlGaN势垒层；通过刻蚀AlGaN势垒层、第二GaN沟道层、InAlN势垒层、第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域；通过刻蚀AlGaN势垒层、第二GaN沟道层、InAlN势垒层、第一GaN沟道层，在器件另一侧形成“I”型源极区域；在漏极区域和源极区域分别形成漏、源电极；在漏、源极区域外的AlGaN势垒层上生长钝化层；通过刻蚀在钝化层上形成“T”型栅极区域；在栅极区域形成T型栅电极。本发明可以集成LNA与PA应用于单个器件。

本发明授权一体化LNA PA集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种一体化LNAPA集成制备方法，其特征在于，包括： 在SiC衬底上，自下而上依次生长GaN缓冲层、第一GaN沟道层、InAlN势垒层、第二GaN沟道层和AlGaN势垒层； 通过刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域； 通过刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件另一侧形成“I”型源极区域； 在所述漏极区域和所述源极区域分别蒸发漏极金属、源极金属形成漏电极和源电极； 在漏极区域和源极区域外的所述AlGaN势垒层上生长钝化层； 通过刻蚀在所述钝化层上形成“T”型栅极区域； 在所述栅极区域蒸发栅极金属形成T型栅电极； 其中，通过刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域，包括： 在所述AlGaN势垒层上涂抹光刻胶，利用Cl基干法刻蚀技术刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“I”型漏极区域；继续利用湿法刻蚀技术刻蚀所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。