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龙图腾网获悉昆山国显光电有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211426976.6，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置是由白青设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括沿阵列基板的厚度方向层叠的衬底、金属氧化物半导体层和第一栅极金属层，阵列基板中设置有氧化物薄膜晶体管，金属氧化物半导体层用于形成氧化物薄膜晶体管的有源层，第一栅极金属层用于形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极；阵列基板还包括第一吸氢层，沿阵列基板的厚度方向，第一吸氢层位于第一栅极金属层与金属氧化物半导体层之间，和或，第一吸氢层位于第一栅极金属层背离金属氧化物半导体层的一侧；沿阵列基板的厚度方向，第一吸氢层在衬底上的正投影与氧化物薄膜晶体管的第一栅极在衬底上的正投影至少部分交叠，本申请实施例能够提高氧化物薄膜晶体管及阵列基板的可靠性。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括沿所述阵列基板的厚度方向层叠的衬底、金属氧化物半导体层和第一栅极金属层，所述阵列基板中设置有氧化物薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体层用于形成所述氧化物薄膜晶体管的有源层，所述第一栅极金属层用于形成所述氧化物薄膜晶体管的第一栅极； 所述阵列基板还包括第一吸氢层，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一吸氢层位于所述第一栅极金属层与所述金属氧化物半导体层之间，和或，所述第一吸氢层位于所述第一栅极金属层背离所述金属氧化物半导体层的一侧； 沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一吸氢层在所述衬底上的正投影与所述氧化物薄膜晶体管的第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分交叠； 所述阵列基板设置有发光元件的第一电极，所述第一电极通过过孔与所述氧化物薄膜晶体管电连接； 所述第一电极包括依次层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第三导电层位于所述第二导电层朝向所述衬底的一侧； 所述第一吸氢层复用所述第三导电层。

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