长鑫存储技术有限公司杨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利边缘少子浓度、反偏漏电的测定方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115629287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211406297.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权边缘少子浓度、反偏漏电的测定方法及相关设备是由杨杰设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本边缘少子浓度、反偏漏电的测定方法及相关设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种边缘少子浓度、反偏漏电的测定方法及相关设备，用于测定半导体器件。半导体器件包括N型区、P型区以及处于N型区和P型区之间的PN结，PN结中包括耗尽区，该方法包括：获得PN结处于反偏状态时流过PN结的交流电流信号，交流电流信号是对N型区施加具有预定扰动频率的激励电压信号获得的；根据激励电压信号和交流电流信号获取在预定扰动频率下的扩散阻抗；根据扩散阻抗获取耗尽区与N型区交界处的边缘少子处于无响应状态下的耗尽区等效电阻和边缘少子处于扩散响应状态下的扩散区等效电阻；根据第一等效电阻和第二等效电阻获取边缘少子浓度。本公开实施例的边缘少子浓度的测定方法能够准确获得边缘少子浓度，且方法简单。
本发明授权边缘少子浓度、反偏漏电的测定方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的边缘少子浓度的测定方法，所述半导体器件包括N型区、P型区以及处于所述N型区和所述P型区之间的PN结，所述PN结中包括耗尽区，其特征在于，所述方法包括： 获得所述PN结处于反偏状态时流过所述PN结的交流电流信号，所述交流电流信号是对所述N型区施加具有预定扰动频率的激励电压信号获得的； 根据所述激励电压信号和所述交流电流信号获取在所述预定扰动频率下的扩散阻抗； 根据所述扩散阻抗获取所述耗尽区与所述N型区交界处的边缘少子处于无响应状态下的耗尽区等效电阻和所述边缘少子处于扩散响应状态下的扩散区等效电阻； 根据所述耗尽区等效电阻和所述扩散区等效电阻获取所述边缘少子浓度。
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