浙江大学陆赟豪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种大规模制作量子自旋霍尔边界态的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115862773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211404513.X，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种大规模制作量子自旋霍尔边界态的方法是由陆赟豪;管丹丹;钱冬;朱锋锋;华陈强;陶圣旦设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大规模制作量子自旋霍尔边界态的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种大规模制作量子自旋霍尔（QSH）边界态的方法：通过构建出拓扑材料的各向异性的表面形貌，对表面能带的狄拉克锥进行调制使其形成准一维带即Q1D带，从而产生高密度的QSH边界态。本发明利用拓扑材料ZrTe5进行结构模拟，其侧表面具有大量一维的凹槽型结构，其边界态在布里渊区中心表现为Q1D带，从而实现了高密度的QSH边界态。该发明给如何实现高密度的QSH边界态提供了一个新思路，推动了基于拓扑绝缘材料的电子自旋器件的开发和应用领域的发展。
本发明授权一种大规模制作量子自旋霍尔边界态的方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高密度QSH边界态的模型，其特征在于：所述模型的构建材料为拓扑材料ZrTe5，通过从侧面切割ZrTe5晶体材料，以Z字形Te原子链堆积方向、即a-b面作为剥离面，Zr-Te键处断裂，形成具有多个1D凹槽的各向异性表面，构成所述具有高密度QSH边界态的模型； 所述模型为：沿ZrTe5晶体材料的c轴为7个单胞c轴长度，共有14个Zr 原子层，邻近两个vdW层交错形成两个对称的上下表面，交错长度为3个单胞c轴，真空层大于所述模型的结构晶格常数为
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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