天狼芯半导体(成都)有限公司陈涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种氮化镓基HEMT器件及其制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211310772.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种氮化镓基HEMT器件及其制备方法及芯片是由陈涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基HEMT器件及其制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种氮化镓基HEMT器件、制备方法及芯片，通过在氮化镓基HEMT器件内集成肖特基二极管，该肖特基二极管由沟道层、势垒层、背部盖帽层以及背部栅极层组成，背部栅极层设于背部盖帽层的背面，并与同样位于背部盖帽层背面的衬底层互不接触，通过对背部栅极层的电压动态控制，实现较低的正向导通电阻以及较高的器件耐压，提高了器件在非嵌位感性负载开关过程测试中的性能，解决了相关技术中由于GaN基的HEMT缺乏相应的寄生二极管，导致其在UIS测试中产生的回灌电流在器件内部振荡，对器件造成毁灭性损伤的技术问题。
本发明授权一种氮化镓基HEMT器件及其制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基HEMT器件，所述氮化镓基HEMT器件内集成肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括： 沟道层； 设于所述沟道层的正面的势垒层； 设于所述沟道层的背面的背部盖帽层； 设于所述势垒层的第一侧的欧姆金属层； 设于所述势垒层的第二侧的肖特基金属层；其中，所述欧姆金属层与所述氮化镓基HEMT器件的漏极电极连接，所述肖特基金属层与所述氮化镓基HEMT器件的源极电极连接； 设于所述背部盖帽层的背面的衬底层； 设于所述背部盖帽层的背面的背部栅极层，所述背部栅极层与所述衬底层互不接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号