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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211287564.9，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法是由朱至渊;刘鹏;徐积斌;李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法，包括：获取之前多个批次中介质侧墙的侧表面的电荷量；获取介质侧墙的侧表面的电荷密度；获取所述介质侧墙的最小宽度尺寸；重新设计掩模版以重新定义所述介质侧墙在宽度上的尺寸；形成图案化的光刻胶层；刻蚀一定厚度的所述介质层以得到位于衬底中的所述浅沟槽隔离结构和覆盖所述栅极的侧表面的所述介质侧墙。本申请通过根据电荷密度以及其他一些参数，获取所述介质侧墙的最小宽度尺寸，重新设计掩模版来重新定义所述介质侧墙在宽度上的尺寸，使得光刻返工后的介质侧墙在积累大量电荷之后的极板放电的情况下可以承受高压，避免了栅极和或衬底被高压击穿而烧毁的情况，提高了器件的良率。

本发明授权需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法，提供一衬底，所述衬底上形成有栅氧化层和位于所述栅氧化层上的栅极，所述栅极两侧的衬底中形成有沟槽，所述沟槽中填充介质层，所述介质层的上表面不低于所述栅极的上表面，其中，所述闪存器件在刻蚀一定厚度的所述介质层以得到浅沟槽隔离结构之前需要进行光刻工艺返工，其特征在于，所述需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法包括： 获取之前因光刻返工问题造成栅极和或衬底被高压击穿的多个批次中与所述栅极贴合的所述介质侧墙的侧表面的电荷量；其中，在刻蚀一定厚度的所述介质层以得到浅沟槽隔离结构的过程中，所述栅极的侧表面上会残留一定宽度的介质层以构成介质侧墙； 根据所述介质侧墙的侧表面的电荷量，获取所述介质侧墙的侧表面的电荷密度； 根据所述电荷密度，获取所述介质侧墙的最小宽度尺寸； 根据所述介质侧墙的最小宽度尺寸，重新设计掩模版以重新定义所述介质侧墙在宽度上的尺寸； 形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述栅极和所述介质层； 利用所述掩模版对所述光刻胶层进行曝光、显影以得到图案化的光刻胶层，其中，所述图案化的光刻胶层覆盖需要形成所述介质侧墙的区域； 以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀一定厚度的所述介质层以得到位于衬底中的所述浅沟槽隔离结构和覆盖所述栅极的侧表面的所述介质侧墙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。