中国电子科技集团公司第五十五研究所代鲲鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211259727.2，技术领域涉及：H10D84/05；该发明授权一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法是由代鲲鹏;潘斌;张凯;吴少兵;林罡;章军云设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法，带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯，包括：衬底、位于衬底上的GaN、位于GaN上的器件、位于衬底上的金属层电路以及位于GaN上的悬臂梁；本发明完全兼容目前主流的各种GaN微波功率器件和MMIC工艺，采用刻蚀特定区域衬底和GaN的方式使电路大部分区域与圆片分离，最后结合传统划片工艺将太赫兹单片电路及管芯从圆片上完全分离出来，既形成了悬臂梁结构同时也避免划片工艺对悬臂梁造成损伤，使带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯具备大规模批量生产的能力。
本发明授权一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法，其特征在于，所述带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯，包括：衬底（1）、位于衬底（1）上的GaN（2）、位于GaN（2）上的器件（3）、位于衬底（1）上的金属层电路（4）以及位于GaN（2）上的悬臂梁（5），其制造方法，包括以下步骤： S1、在由GaN（2）和衬底（1）组成的外延片上制备各种集成器件（3）； S2、刻蚀去除特定区域的GaN材料； S3、在衬底（1）上形成所需的电路（4）； S4、将外延片与基板（7）键合成在一起； S5、对衬底（1）的背面进行研磨，降低衬底（1）的厚度； S6、刻蚀去除掉部分衬底（1），使特定区域的GaN（2）裸露出来； S7、去除阻挡层使悬臂梁（5）金属裸露出来； S8、将GaN外延片与基板（7）进行分离； S9、划片后获得带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯。
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