成都凯天电子股份有限公司胡宗达获国家专利权
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龙图腾网获悉成都凯天电子股份有限公司申请的专利一种硅谐振压力传感器及其在线校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116448286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211237834.5，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权一种硅谐振压力传感器及其在线校准方法是由胡宗达;李宁;张坤;张林;赵鑫;李明兴设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅谐振压力传感器及其在线校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅谐振压力传感器，其包括谐振层、衬底层和盖板层，谐振层上设置有谐振梁，谐振梁的两端均设置有第一校准电容，盖板层靠近谐振层的一端设置有与第一校准电容相匹配的第二校准电容；本发明还公开了一种硅谐振压力传感器的在线校准方法，包括步骤S1‑S4。本发明中，第一校准电容和第二校准电容形成校准电容对，在校准电容对两端加上直流电压即可在第一校准电容和第二校准电容之间形成静电力，方便模拟压力控制器的校准功能，实现了硅谐振压力传感器在整机系统内部在线校准的功能，避免了整机系统因更换传感器或拆卸重校准而带来的成本和时间上的不利影响。
本发明授权一种硅谐振压力传感器及其在线校准方法在权利要求书中公布了：1.一种硅谐振压力传感器，其特征在于，包括： 谐振层9，其上设置有谐振梁6，所述谐振梁6的两侧分别设置有第一检测梳齿4和第二检测梳齿5，所述谐振梁6的两侧均设置有驱动梳齿3，所述谐振梁6的两端均设置有第一校准电容2； 衬底层10，其两端均设置有用于感应外界压力的压力敏感膜片14，所述压力敏感膜片14上设置有与所述谐振梁6连接的硅岛7； 盖板层8，其设置在所述谐振层9远离所述衬底层10的一端，其靠近谐振层9的一端设置有与第一校准电容2相匹配的第二校准电容1。
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