青岛佳恩半导体有限公司王新强获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211220504.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺是由王新强;谭文涛;李永设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺，包括集电极，集电极的上方设置有p型缓冲层，p型缓冲层的上方设置有n型缓冲层，n型缓冲层的上方设置有n+型漂移层，n+型漂移层的内部设置有p型块，n+型漂移层的顶部设置有蚀刻沟槽，蚀刻沟槽的内部设置有两性掺杂区，两性掺杂区的内部下方设置有第一掺杂区，通过在n+型漂移层设置两性掺杂区减少寄生三极管的数量，同时设置的第一掺杂区和第二掺杂区，在减少寄生三极管数量的同时还降低寄生三极管的基区电阻进一步抑制寄生三极管效应，达到避免IGBT的内部出现漏电流避免对IGBT造成损坏的效果。
本发明授权一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺在权利要求书中公布了：1.一种内绝缘结构的IGBT结构，其特征在于，包括集电极，所述集电极的上方设置有p型缓冲层，所述p型缓冲层的上方设置有n型缓冲层，所述n型缓冲层的上方设置有n+型漂移层，所述n+型漂移层的内部设置有p型块，所述n+型漂移层的顶部设置有蚀刻沟槽，所述蚀刻沟槽的内部设置有两性掺杂区，两性掺杂区采用N型和P型杂质，用于在n+型漂移层起到半绝缘的作用，所述两性掺杂区的内部下方设置有第一掺杂区，第二掺杂区设置在所述两性掺杂区内的所述第一掺杂区的上部外侧，所述两性掺杂区的内部上方依次设置有n型块和p型块，所述两性掺杂区的顶部一侧设置有发射极，所述n+型飘移的顶部和所述两性掺杂区的顶部另一侧设置有氧化层，所述氧化层的顶部设置有栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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