杭州奥创光子技术有限公司兰明强获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州奥创光子技术有限公司申请的专利一种基于保偏光纤的包层光剥除方法及保偏光纤获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115473112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211204440.X,技术领域涉及:H01S3/067;该发明授权一种基于保偏光纤的包层光剥除方法及保偏光纤是由兰明强;邱杭锴设计研发完成,并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于保偏光纤的包层光剥除方法及保偏光纤在说明书摘要公布了:本发明涉及激光信号传输技术领域,具体涉及一种基于保偏光纤的包层光剥除方法及保偏光纤。其中一种基于保偏光纤的包层光剥除方法,其特征在于:包含,于获取到预定保偏光纤的状态下,于所述预定保偏光纤上获取一匹配第一预定尺寸的特征光纤区;于所述特征光纤区显示特征图像的状态下对所述特征光纤区的做排列式图案化处理以形成漏光孔。
本发明授权一种基于保偏光纤的包层光剥除方法及保偏光纤在权利要求书中公布了:1.一种基于保偏光纤的包层光剥除方法,其特征在于:包含,于获取到预定保偏光纤的状态下,于所述预定保偏光纤上获取一匹配第一预定尺寸的特征光纤区; 于所述特征光纤区显示特征图像的状态下对所述特征光纤区的做排列式图案化处理以形成漏光孔具体包括: 于所述特征光纤区浸入预定介质的状态下;调整所述特征光纤区的姿态以使得特征图像被显示; 于所述特征光纤区显示特征图像的状态下对所述特征光纤区的做排列式图案化处理以形成漏光孔;撤离所述预定介质使所述特征光纤区裸露,所述特征光纤区的第一表面和第二表面分别做图案化处理以形成漏光孔; 于激光聚焦光束正入射所述特征光纤区状态下,通过激光对所述特征光纤区的第一表面上做光刻打孔以形成第一漏光孔; 旋转所述特征光纤区180°,于激光聚焦光束正入射所述特征光纤区状态下,通过激光对所述特征光纤区的第二表面上做光刻打孔以形成第二漏光孔; 所述漏光孔位于所述保偏光纤应力区的两端; 所述图案化处理形成至少一排等间距的漏光孔,所述漏光孔等间距排列,使得包层光逐渐被散射出去; 当包层光传输至剥离带有漏光孔的光纤区域时,等间距排列的漏光孔破坏了包层全反射条件,使得包层光散射出光刻处理区; 当包层光在第一个漏光孔中未被完全散射出去的状态继续传输,当遇到第二个、第三个漏光孔时则被逐渐散射出去,当包层光传输的距离达到50mm以上,其包层光的剥离率达到99%。
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