长鑫存储技术有限公司徐高峰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115840062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211176543.X，技术领域涉及：G01Q30/20；该发明授权原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片是由徐高峰;王欣设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片。该制备方法包括：提供基底，基底具有阵列区和外围区；在阵列区执行第一半导体工艺，以形成第一半导体结构，在外围区同步执行第一半导体工艺中形成第一半导体结构的材料的工艺，在外围区形成堆叠的材料层；提取材料层并进行处理，保留待测材料层，形成样品。本公开实施例制备的样品，材料分布均匀，降低制备难度，简化工艺，提高了样品的完整性及表面的光洁度，提高了测试结果的准确度。
本发明授权原子探针断层分析的样品及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种原子探针断层分析的样品的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有阵列区和外围区； 在所述阵列区执行第一半导体工艺，以形成第一半导体结构，在所述外围区同步执行所述第一半导体工艺中形成所述第一半导体结构的材料的工艺，在所述外围区形成堆叠的材料层； 提取所述材料层并进行处理，保留待测材料层，形成样品。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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