中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利柱销式衬底保持器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115440650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211147087.6,技术领域涉及:H01L21/687;该发明授权柱销式衬底保持器及其制备方法是由罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;赵承伟;张逸云;赵泽宇设计研发完成,并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本柱销式衬底保持器及其制备方法在说明书摘要公布了:本公开提供了一种柱销式衬底保持器及其制备方法,该制备方法包括:S1,在低面形起伏的基底1上依次形成金属掩蔽层2、有机保护层3和感光层4;S2,对感光层4进行曝光、显影,得到柱销式结构;S3,依次刻蚀有机保护层3、金属掩蔽层2,将柱销式结构转移至有机保护层3、金属掩蔽层2中;S4,使用腐蚀液对基底1进行腐蚀,将柱销式结构继续转移至基底1中,基底1中柱销式结构的上表面保持了基底1初始的低面形起伏;S5,去除感光层4、有机保护层3和金属掩蔽层2,得到柱销式衬底保持器。本公开的方法基于微纳加工技术可以制备出大面积、高平整度的柱销式衬底保持器。
本发明授权柱销式衬底保持器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,包括: S1,在低面形起伏的基底(1)上依次形成金属掩蔽层(2)、有机保护层(3)和感光层(4);所述S1中低面形起伏的基底(1)包括所述基底(1)的表面最高处与最低处的差值PV<20nm,所述基底(1)的表面高处、低处的平均值RMS<1nm; S2,对所述感光层(4)进行曝光、显影,得到柱销式结构; S3,依次刻蚀所述有机保护层(3)、所述金属掩蔽层(2),将所述柱销式结构转移至所述有机保护层(3)、所述金属掩蔽层(2)中;所述金属掩蔽层(2)有利于抑制所述有机保护层(3)中的侧向腐蚀隐患,所述有机保护层(3)有利于抑制所述金属掩蔽层(2)中的针孔隐患; S4,使用腐蚀液对所述基底(1)进行腐蚀,将所述柱销式结构继续转移至所述基底(1)中,所述基底(1)中柱销式结构的上表面保持了所述基底(1)初始的低面形起伏; S5,去除所述感光层(4)、有机保护层(3)和金属掩蔽层(2),得到柱销式衬底保持器;所述柱销式衬底保持器的上表面保持所述基底(1)初始的低面形起伏。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院光电技术研究所,其通讯地址为:610209 四川省成都市双流350信箱;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。