绍兴中芯集成电路制造股份有限公司魏凯利获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211119507.X，技术领域涉及：H01L21/3205；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由魏凯利;眭小超设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述方法包括：提供半导体器件初体,所述半导体器件初体包括导电引出面；在第一预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述导电引出面上形成第一金属层；在第二预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述第一金属层上形成第二金属层；所述第一预设功率和所述第二预设功率的设置满足：使所述第一金属层的晶粒的尺寸大于所述第二金属层的晶粒的尺寸；在第一预设温度下执行退火处理；所述第一预设温度的设置满足：使所述第一金属层与所述导电引出面建立欧姆接触。本发明所提供的半导体结构的制备方法及半导体结构，使半导体器件有更稳定的性能。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体器件初体,所述半导体器件初体包括导电引出面； 在第一预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述导电引出面上形成第一金属层； 在第二预设功率下执行溅射镀膜工艺，在所述第一金属层上形成第二金属层；所述第一预设功率和所述第二预设功率的设置满足：使所述第一金属层的晶粒的尺寸大于所述第二金属层的晶粒的尺寸；所述第二金属层的抗强碱酸的能力大于所述第一金属层的抗强碱酸的能力；所述第二金属层的数量为一个或多个； 在第一预设温度下执行退火处理；所述第一预设温度的设置满足：使所述第一金属层与所述导电引出面建立欧姆接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号