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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115589756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211086366.6，技术领域涉及：H10K71/10；该发明授权一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法是由马啸尘;杨芳伟;徐晨;钱峰松;胡良臣设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法，首先在金属箔背面以及衬底表面分别制备金属箔接触层和衬底接触层，使用压合机将金属箔和衬底的接触层在一定的温度和压力条件下进行压合。压合后的金属箔的衬底被置于多温区独立调控的热CVD系统中进行低温生长石墨烯，对压合在衬底上的单晶金属箔上原位生长的石墨烯直接进行图形化光刻，并依次通过干法刻蚀和自对准湿法刻蚀工艺，依次实现石墨烯膜层固定，石墨烯图形化以及金属箔和接触膜层的去除，通过去除石墨烯上的光刻胶和PMMA实现在衬底上原位制备图形化石墨烯。该方法适用于石墨烯基在大面积衬底上的低温免转移制备，有利于推进石墨烯的商业化广泛应用。

本发明授权一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1准备单晶金属箔以及目标衬底； 步骤2在目标衬底上制备衬底接触层，在步骤1的单晶金属箔背面制备金属箔接触层； 步骤3使用压合机对金属箔接触层和衬底接触层在一定的温度和压力条件下进行压合，压合完成后的金属箔接触层黏附在衬底接触层表面，从上至下依次为：单晶金属箔、金属箔接触层、衬底接触层和目标衬底； 步骤4将步骤3中带金属箔接触层的目标衬底置于热CVD系统中进行低温生长石墨烯，所述石墨烯生长在单晶金属箔的上表面； 步骤5在石墨烯的上表面旋涂PMMA并烘干，通过光刻在PMMA上表面制备出图形化的光刻胶掩膜图案，通过干法刻蚀去掉掩膜未覆盖区域的PMMA以及石墨烯，实现石墨烯图形化； 步骤6在步骤5图形化的光刻胶掩膜图案覆盖下，用刻蚀液自对准地钻刻去除石墨烯下面的单晶金属箔、金属箔接触层和衬底接触层，然后用去离子水漂净刻蚀液并烘干，使图形化石墨烯在光刻胶的保护和固定下原位落在目标衬底上； 步骤7依次将石墨烯上表面的光刻胶以及PMMA清洗掉，最终在大面积目标衬底上得到低温免转移原位制备的大面积图形化石墨烯，从上至下依次为：原位生长并图形化的石墨烯和大面积目标衬底。

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