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龙图腾网获悉太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院申请的专利利用向列型液晶小分子掺杂P3HT空穴传输层制备铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211080079.4，技术领域涉及：H10K30/86；该发明授权利用向列型液晶小分子掺杂P3HT空穴传输层制备铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池的方法是由任静琨;任炜桦;李仕奇;刘一凡;郝玉英设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用向列型液晶小分子掺杂P3HT空穴传输层制备铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种向列液晶小分子掺杂空穴传输层制备高性能铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池的方法，属于太阳电池研究领域。本发明所述的铯铅碘钙钛矿太阳电池为正置结构，从下到上依次为导电玻璃，电子传输层，钙钛矿活性层，空穴传输层及金属电极。本发明主要是在P3HT空穴传输材料前驱液中掺杂一种向列型液晶小分子，然后将其旋涂在铯铅碘钙钛矿活性层表面，进而组装成铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池。通过此方法提高空穴迁移率、提高钙钛矿与P3HT界面能级的匹配度、钝化钙钛矿表面缺陷，从而提高空穴的提取和传输能力，减少载流子的非辐射复合损耗；同时向列型液晶分子上的疏水官能团显著提高了铯铅碘钙钛矿太阳电池在空气中的稳定性。

本发明授权利用向列型液晶小分子掺杂P3HT空穴传输层制备铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用向列型液晶小分子掺杂P3HT空穴传输层制备高性能铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池的方法，其特征在于：制备过程主要包含以下步骤： 步骤一、配置浓度为0.15~0.2molL的二乙酰丙酮基钛酸二异丙酯的正丁醇溶液； 配置浓度为0.6~0.8molL的铯铅碘全无机钙钛矿前驱液； 配置浓度为10~15mgml的P3HT的氯苯溶液，然后向其中添加向列型液晶小分子，配置成所需的空穴传输层前驱液,其中，向列型液晶小分子为4-氰基-4-戊基联苯（5CB）； 步骤二、将所配置的二乙酰丙酮基钛酸二异丙酯的正丁醇溶液旋涂在清洗干净的FTO导电玻璃上，然后煅烧制备成二氧化钛电子传输层薄膜； 步骤三、将所配置的铯铅碘全无机钙钛矿前驱液旋涂在步骤二所制备的二氧化钛电子传输层上，加热处理制成钙钛矿活性层薄膜； 步骤四、将所配置的空穴传输层前驱液旋涂在步骤三所制备的钙钛矿活性层薄膜表面，加热处理制成空穴传输层薄膜； 步骤五、在步骤四得到的空穴传输层薄膜表面蒸镀金属电极，完成铯铅碘全无机钙钛矿太阳电池的组装。

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