上海华力微电子有限公司范明远获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053151.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种缺陷检测方法是由范明远设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种缺陷检测方法，包括：对晶圆表面的异常位置进行电镜扫描，得到扫描图像，根据扫描图像将对应的异常位置分类为真缺陷和干扰缺陷；将干扰缺陷的第一扫描图像和第二扫描图像分别进行线条化处理，得到对应的第一线条化图片和第二线条化图片；将第一线条化图片与第二线条画图片进行对比，根据对比结果将干扰缺陷分类为假缺陷和非特征缺陷；以及对非特征缺陷进行预警。本发明提供的缺陷检测方法，通过图像后处理生成异常位置的第一线条化图片和第二线条化图片，将第一线条化图片和第二线条化图片的对比，可方便直观地对非特征缺陷进行二次识别，提高非特征缺陷的识别准确率，避免了批量异常，提高了产品良率。
本发明授权一种缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 对晶圆表面的异常位置进行电镜扫描，得到所述异常位置的扫描图像，每个异常位置的扫描图像至少包括第一扫描图像和第二扫描图像； 识别所述异常位置的扫描图像，并根据第一分类标准将所述异常位置分类为真缺陷和干扰缺陷； 将所述干扰缺陷的第一扫描图像和第二扫描图像分别进行线条化处理，得到对应的第一线条化图片和第二线条化图片； 将所述第一线条化图片与所述第二线条化图片进行对比，根据对比结果将所述干扰缺陷分类为假缺陷和非特征缺陷； 对所述非特征缺陷进行预警； 所述电镜扫描包括扫描电子显微镜扫描； 所述第一扫描图像为：初始电子束以第一入射角扫描异常位置得到的扫描图像；所述第二扫描图像为：初始电子束以不同于第一入射角的第二入射角扫描异常位置得到的扫描图像，并且得到所述第一扫描图像和第二扫描图像的其他扫描条件和参数相同，所述入射角定义为电子束的轴线与晶圆表面的法线之间的夹角。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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