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龙图腾网获悉西安空间无线电技术研究所申请的专利一种单粒子瞬态加固LDO设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211042504.0，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种单粒子瞬态加固LDO设计方法是由张健;王倩琼;巨艇;邢建丽;赖晓玲;秦晟昱设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单粒子瞬态加固LDO设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单粒子瞬态加固LDO设计方法，属于CMOS集成电路空间单粒子效应防护技术领域。该方法通过使用双指数电流源模型，定位LDO电路中单粒子瞬态敏感节点分别为环路主级点和带隙基准源电路中负反馈放大器正向输入点。针对LDO核心电路，增加主级点电路模块的支路电流；针对LDO的带隙基本源电路，调整基准电路中的左右两侧bjt管比例为1:2，并设计模拟信号双路冗余电路结构实现加固。提高了LDO在空间辐照环境下的可靠性。

本发明授权一种单粒子瞬态加固LDO设计方法在权利要求书中公布了：1.一种单粒子瞬态加固LDO设计方法，其特征在于包括： 1根据应用需求，设计LDOIP电路，所述LDOIP电路未做SET加固； 2使用双指数电流源模型，模拟LET阈值为75MeV的高能粒子轰击LDOIP电路的不同节点，确定电路中SET的敏感节点，所述敏感节点包括环路主级点和带隙基准源电路中负反馈放大器正向输入点； 3对电路中SET的敏感节点进行加固处理，得到SET加固的LDOIP电路；所述对电路中SET的敏感节点进行加固处理，包括： 增加环路主级点的支路电流； 调整带隙基准源电路中的左右两侧bjt管比例以及版图布局； 对带隙基准源电路输出的参考电压Vref信号做双路冗余； 4对SET加固的LDOIP电路进行仿真，验证电路的功能、性能是否满足设计预期，若满足，则确定器件参数，设计LDOIP电路版图，使用物理工具验证版图的正确性，版图验证正确后，进入步骤5； 5对LDOIP电路做寄生参数提取，根据实际应用构建仿真验证环境，验证LDOIP电路的功能、性能以及抗SET能力是否满足要求，若满足要求，设计结束；若不满足要求，返回步骤4，修改器件参数，直到LDOIP电路的功能、性能以及抗SET能力满足要求。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安空间无线电技术研究所，其通讯地址为：710100 陕西省西安市长安区航天基地东长安街504号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。