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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利加载铁氧体薄膜的片上器件的多物理场数值计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115659714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211025787.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权加载铁氧体薄膜的片上器件的多物理场数值计算方法是由王辂;肖志强;曾燕萍;顾林设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本加载铁氧体薄膜的片上器件的多物理场数值计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种加载铁氧体薄膜的片上器件的多物理场数值计算方法，属于集成电路技术与计算电磁学领域。首先对加载铁氧体薄膜后的片上器件实施混合网格剖分；然后在离散空间中排布三个物理场的各个场分量；最后根据三个物理场的耦合关系，进行物理场方程求解以及方程间的参数传递。本发明根据片上器件的结构特点，在常规FDTD空间下结合了两种网格加密技术，明显提升建模精度；根据片上器件面临的多物理场现象，在FDTD求解Maxwell方程的基础上，耦合计算LLG方程和热传导方程，进行合理的参数传递，完整地还原了片上器件在工作时的电磁场现象、铁氧体薄膜的磁化和退磁过程以及它们的热效应，有效提升计算方法对目标的仿真精度。

本发明授权加载铁氧体薄膜的片上器件的多物理场数值计算方法在权利要求书中公布了：1.一种加载铁氧体薄膜的片上器件的多物理场数值计算方法，其特征在于，包括： 步骤一，对加载铁氧体薄膜后的片上器件实施混合网格剖分； 步骤二，在离散空间中排布三个物理场的各个场分量； 步骤三，根据三个物理场的耦合关系，进行物理场方程求解以及方程间的参数传递；其中， 对加载铁氧体薄膜后片上器件实施混合网格剖分包括：在笛卡尔坐标系下建立FDTD计算空间，采用边长为δ的立方体网格离散空间，并以此为基础，混合非均匀网格和共形亚网格两种加密技术对计算目标进行精细剖分； 所述三个物理场为电磁场、微磁场和热场，根据三者间的互耦关系，在离散时间的一个时间步内进行参数传递及全部物理场的计算； 按以下顺序逐步计算物理场方程： 第一步，在给定端口激励的场边界条件，求解Maxwell方程，得到当前时刻计算全域内的电场强度E和磁场强度H分布，之后将磁场强度H传递至LLG方程中、将电场强度E传递至热传导方程中，分别用于电磁场-微磁场耦合和电磁场-热场耦合； 第二步，在铁氧体薄膜内部区域求解LLG方程，将电磁场中的磁场强度H作为有效磁场强度Heff中的动态分量，结合初始偏置磁场强度H0、磁各项异性场强Hk、交换磁场强度Hex得到当前时刻的交换磁场强度Heff，并将其带入LLG方程，求解当前时刻铁氧体薄膜的磁化强度M，以表征铁氧体薄膜的磁化过程，再根据磁化强度M计算得到当前位置更准确的磁场强度H，并传递回Maxwell方程，实现微磁场-电磁场耦合，即形成电磁场和微磁场的同步双向耦合计算； 第三步，求解热传导方程，将器件的欧姆热作为热源，将固定温度值或温度插值函数作为背景温度边界条件，计算当前时刻的温度分布；之后根据材料的温度系数和温变函数更新各个参数，并将这些参数传递回Maxwell方程和LLG方程，形成热场-电磁场和热场-微磁场的耦合，即完成电磁场-微磁场-热场在一个时间步内的全部耦合计算。

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