长鑫存储技术有限公司张永会获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211000134.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张永会设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，晶圆具有相对的第一面和第二面，晶圆的边缘具有台阶面，台阶面与第二面之间的距离小于第一面与第二面之间的距离，且台阶面与第一面通过连接面连接以构成台阶；形成保护层，保护层至少位于台阶面与连接面形成的拐角区；提供载板且进行键合处理，键合处理步骤中，在第一面与载板的表面之间形成粘合层，通过粘合层将第一面键合至载板的表面；在进行键合处理之后，去除保护层；沿第二面指向第一面方向，对晶圆进行减薄处理。本公开实施例至少有利于避免晶圆边缘溢胶现象。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆具有相对的第一面和第二面，所述晶圆的边缘具有台阶面，所述台阶面与所述第二面之间的距离小于所述第一面与所述第二面之间的距离，且所述台阶面与所述第一面通过连接面连接以构成台阶； 形成保护层，所述保护层至少位于所述台阶面与所述连接面形成的拐角区； 提供载板且进行键合处理，所述键合处理步骤中，在所述第一面与所述载板的表面之间形成粘合层，通过所述粘合层将所述第一面键合至所述载板的表面； 在进行所述键合处理之后，去除所述保护层； 沿所述第二面指向所述第一面方向，对所述晶圆进行减薄处理。
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