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龙图腾网获悉成都华微电子科技股份有限公司申请的专利低功耗高压侧电压调整器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115407816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210994356.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低功耗高压侧电压调整器是由林亚立;从伟林;冯浪;刘鑫旭;刘中伟;曾婷婷设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本低功耗高压侧电压调整器在说明书摘要公布了：低功耗高压侧电压调整器，涉及集成电路技术，本发明包括DC‑DC电平转换模块和控制模块，所述DC‑DC电平转换模块的第一参考点CB和第二参考点SW之间设置有第一电容Cboost，在调压电容和高电平端之间设置有第一开关K1，第一开关K1的控制端与控制模块连接，其特征在于，所述控制模块为电压检测电路，所述电压检测电路用于检测第一电容两端的电压，当其达到预设的阈值时切换第一开关K1的状态。本发明简化了电路和增加了电路的响应速度，整体需要的功耗较少。

本发明授权低功耗高压侧电压调整器在权利要求书中公布了：1.低功耗高压侧电压调整器，包括DC-DC电平转换模块和控制模块，所述DC-DC电平转换模块的第一参考点CB和第二参考点SW之间设置有第一电容Cboost，在第一电容和高电平端之间设置有第一开关K1，第一开关K1的控制端与控制模块连接，其特征在于，所述控制模块为电压检测电路，所述电压检测电路用于检测第一电容两端的电压，当其达到预设的阈值时切换第一开关K1的状态； 所述控制模块包括： 第一PMOS管MP1，其源极通过第一电阻R1接第一参考点，栅极和漏极通过电流源接第二参考点； 第二PMOS管MP2，其源极通过第二电阻R2接第一参考点，栅极接第一PMOS管的栅极，漏极接第一NMOS管的漏极和栅极； 第三PMOS管MP3，其源极通过第三电阻R3接第一参考点，栅极接第一PMOS管的栅极，漏极接第二NMOS管MN2的漏极； 第四PMOS管MP4，其源极通过第四电阻R4接第一参考点，栅极接第一PMOS管的栅极，漏极通过反相器接输出端； 第一NMOS管MN1，其源极通过第五电阻R5接第二参考点； 第二NMOS管MN2，其源极通过第六电阻R6接第二参考点，栅极与第一NMOS管的栅极连接； 第三NMOS管MN3，其源极接第四PMOS管的漏极，漏极和栅极与第二NMOS管的漏极连接； 第四NMOS管MN4，其源极接第二参考点，栅极与第二NMOS管的漏极连接，漏极接第四PMOS管的漏极； 齐纳二极管，其正极接第二NMOS管的漏极，负极接第一参考点。

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