西南交通大学邓维礼获国家专利权
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龙图腾网获悉西南交通大学申请的专利一种ZnO-Si p-n结压电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210982255.7，技术领域涉及：H10N30/01；该发明授权一种ZnO-Si p-n结压电器件及其制备方法是由邓维礼;张洪瑞;杨维清;田果;杨涛;熊达设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ZnO-Si p-n结压电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ZnO‑Sip‑n结压电器件及其制备方法，其制备方法依次包括以下步骤：在具有底部电极的基底表面，通过射频磁控溅射沉积氧化锌种子层，然后浸入生长液中浸泡，再清洗和烘干，制得氧化锌种子层上生长的氧化锌纳米棒；通过射频磁控溅射沉积p型Si薄膜；旋涂溶解有聚甲基丙烯酸甲酯的有机溶剂，然后烘干，再沉积银，制得ZnO‑Sip‑n结压电器件。本发明的制备方法简单、易操作，制得的ZnO‑Sip‑n结压电器件压电性能好，当Si薄膜载流子浓度为7.88×1018cm‑3时，其输出电压和电流分别达到了0.8V和40nA。
本发明授权一种ZnO-Si p-n结压电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ZnO-Sip-n结压电器件的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤： （1）在具有底部电极的基底表面，通过射频磁控溅射沉积氧化锌种子层，然后于80-90℃条件下，浸入生长液中浸泡5-8h，再清洗和烘干，制得氧化锌种子层上生长的氧化锌纳米棒； （2）在步骤（1）制得氧化锌纳米棒表面，通过射频磁控溅射沉积p型Si薄膜； （3）在步骤（2）制得的p型Si薄膜表面，旋涂溶解有聚甲基丙烯酸甲酯的有机溶剂，然后烘干，再沉积银，制得ZnO-Sip-n结压电器件； 步骤（2）中，沉积p型Si薄膜的前驱物为硼掺杂的硅靶； 硅靶的电阻率为0.01-10Ω·cm； 步骤（2）中，射频磁控溅射的条件为：工作压力1.2-1.8Pa，RF功率90-110W，气流量28-32sccm。
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