深圳市华科创智技术有限公司靳世东获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华科创智技术有限公司申请的专利一种透明柔性薄膜电极的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210900687.9，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权一种透明柔性薄膜电极的制作方法是由靳世东;曾西平;詹世治;彭礼明设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种透明柔性薄膜电极的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子元器件技术领域，具体涉及一种透明柔性薄膜电极的制作方法，包括以下步骤：1对基板表面进行预处理；2在预处理后的基板表面涂布聚酰亚胺浆料并固化，得到聚酰亚胺层；3根据电极图案设计在聚酰亚胺层上开设导电沟槽；4在导电沟槽内喷涂导热油墨并固化，得到导热保护层；5将纳米银导电油墨填充到喷涂有导热油墨的导电沟槽内，干燥固化；6去除导电沟槽外多余的纳米银导电油墨，得到电极图案；7在得到电极图案后的聚酰亚胺涂层表面涂布紫外固化液并固化，得到透明封装层。本发明制得的电极响应速度在2‑5s，耐弯折次数在30万次以上，加热72h后温度在35‑50℃，高温性能好，使用寿命大大提高。
本发明授权一种透明柔性薄膜电极的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种透明柔性薄膜电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）对基板表面进行预处理； （2）在预处理后的基板表面涂布聚酰亚胺浆料并固化，得到聚酰亚胺层； （3）根据电极图案设计在聚酰亚胺层上开设导电沟槽，所述导电沟槽为V型导电沟槽，所述V型导电沟槽采用激光开槽得到，所述V型导电沟槽开槽角度为30°-60°，开槽深度为0.05-0.08um； （4）在导电沟槽内喷涂导热油墨并固化，得到厚度为3-10nm的导热保护层； （5）将纳米银导电油墨填充到喷涂有导热油墨的导电沟槽内，干燥固化； （6）去除导电沟槽外多余的纳米银导电油墨，得到电极图案； （7）在得到电极图案后的聚酰亚胺涂层表面涂布紫外固化液并固化，得到透明封装层。
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