西安空间无线电技术研究所张娜获国家专利权
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龙图腾网获悉西安空间无线电技术研究所申请的专利一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115391737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210869636.4，技术领域涉及：G06F17/18；该发明授权一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法是由张娜;王瑞;崔万照;陈泽煜设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法在说明书摘要公布了：一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法，包括：测试微波部件不同表面处理的二次电子产额数据；根据测试的二次电子产额数据拟合出入射电子能量下的二次电子产额曲线；根据入射电子能量与二次电子产额关系计算不同入射电子能量的出射电子数目概率；根据出射电子数目概率计算不同入射电子能量下的归一化电子累积出射概率；计算不同二次电子产额曲线对应的临界微放电阈值点；判断不同表面处理发生微放电的风险大小。本发明方法不需要计算微放电阈值，预测结果准确，具有快速、直观的优势，该方法可用于筛选抑制微放电效应的表面镀层，为快速评估抑制微放电效应的表面镀层提供了新方法。
本发明授权一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法在权利要求书中公布了：1.一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法，其特征在于包括： 1测试不同表面处理下的微波部件表面入射能量点Ee_in对应下的二次电子产额δEe_in，形成i组Ee_in，δEe_in的测试数据，i＝1，2…n；n为表面处理类型的总数； 2根据步骤1测试所得的第i组微波部件上不同入射能量点Ee_in对应的二次电子发射产额δEe_in，拟合出该组测试数据对应的入射电子能量Ein与二次电子产额δEin的关系曲线； 3根据步骤2得到的入射电子能量与二次电子产额的关系曲线，计算得到入射电子能量对应的出射电子数目概率； 4根据步骤3得到的出射电子数目概率，计算不同入射电子能量下的归一化电子累积出射概率； 5计算得到第i组二次电子产额曲线对应的临界微放电阈值点； 6重复步骤2-5，得到n组临界微放电阈值点，按照从大到小顺序排列，进而得到各个微波部件的微放电风险。
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