西安电子科技大学郑雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210873436.6，技术领域涉及：H01L21/423；该发明授权基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法是由郑雪峰;岳少忠;张翔宇;洪悦华;张方;苑子健;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法，主要解决现有氧化镓二极管击穿电压低的问题。其实现方案是：选用中子源设备，根据氧化镓材料对中子辐射的耐受程度，设置该设备的中子能量为0.1MeV‑20MeV，剂量为1×1013‑1×1016ncm2；将多只Ga2O3二极管水平均匀贴在PCB板上，再将该贴有器件的PCB板垂直放在中子源辐射设备的孔道位置；检查中子源设备的各项设置参数无误后，打开电源对所贴器件进行中子辐照，直到中子源出射的中子剂量到达预设值后关闭电源，取出Ga2O3二极管。本发明有效提高了Ga2O3二极管的反向击穿电压，可应用于高耐压大功率电力电子设备。
本发明授权基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法在权利要求书中公布了：1.一种基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法，其特征在于，包括如下步骤： 选用中子源设备，根据氧化镓材料对中子辐射的耐受程度，设置该设备的中子能量为0.1MeV-20MeV，剂量为1×1013-1×1016ncm2； 将多只Ga2O3二极管水平均匀贴在PCB板上，再将该贴有Ga2O3二极管的PCB板垂直放在中子源辐射设备的孔道位置； 检查中子源设备的各项设置参数无误后，打开电源对所贴Ga2O3二极管进行中子辐照，直到中子源出射的中子剂量到达预设值后关闭电源，取出Ga2O3二极管，实现对其反向击穿电压的提升。
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