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龙图腾网获悉佛山科学技术学院申请的专利一种基于二氧化碳气氛的低温常压等离子体表面亲水改性装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115066080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210825179.9，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种基于二氧化碳气氛的低温常压等离子体表面亲水改性装置及方法是由罗杰;马佑烨;徐可;张海琛;孙海波;余明光设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二氧化碳气氛的低温常压等离子体表面亲水改性装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二氧化碳气氛的低温常压等离子体表面亲水改性装置及方法，该装置包括二氧化碳供气单元、等离子体处理室及传送带，等离子体处理室包括发生室和后置反应室，发生室内设有正电极、负电极，正电极与外置控制电源电连接，负电极接地；二氧化碳供气单元位于等离子体处理室的顶部，二氧化碳供气单元的底部连接气管，气管延伸至发生室内的底部，二氧化碳供气单元与气管的连接处设有控制开关，控制开关与压力传感器电连接，压力传感器位于发生室内的顶部；传送带为U型结构，传送带依次穿过发生室和后置反应室，正电极位于传送带的上部，负电极位于传送带的下部。该发明的装置及方法能够连续制备改性薄膜。

本发明授权一种基于二氧化碳气氛的低温常压等离子体表面亲水改性装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二氧化碳气氛的低温常压等离子体表面亲水改性装置，其特征在于，该装置包括二氧化碳供气单元1、等离子体处理室2及传送带3； 等离子体处理室2包括发生室21和后置反应室22，发生室21内设有正电极23、负电极24，其间距为10mm-500mm，正电极23与外置控制电源电连接，负电极24接地，发生室21的左下角和后置反应室22的右上角均安装鼓风机25；发生室21的左上角设有入口26，后置反应室22的右上角设有出口27；薄膜待处理材料在通过发生室时在放电环境中表面被活化，经过表面处理后的薄膜在通过后置反应室过程中充分与充斥在处理室内的二氧化碳气体发生反应实现充分反应； 二氧化碳供气单元1位于等离子体处理室2的顶部，二氧化碳供气单元1的底部连接气管11，气管11延伸至发生室21内的底部，二氧化碳供气单元1与气管11的连接处设有控制开关12，控制开关与压力传感器13电连接，压力传感器13位于发生室21内的顶部； 传送带3为U型结构，传送带3从入口26进入发生室21，从出口27离开后置反应室22，入口26和出口27均设有密封结构，密封结构为2个同向设置的弹性硅胶片；正电极23位于传送带3的上部，负电极24位于传送带3的下部，传送带3嵌入正电极23与负电极24之间，负电极24由至少两个传送辊组成，传送辊转动带动传送带3运动，待处理薄膜附着于传送带3表面。

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