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龙图腾网获悉西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210820955.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备是由胡云龙设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体设备反应源控制方法和半导体工艺设备，半导体设备包括源瓶、第一管路、第二管路、工艺腔室，第一管路的一端为进气端，另一端插入源瓶的源液中；第二管路的一端插入源瓶的非原液中，另一端与工艺腔室连通，且在从源瓶到工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，该方法包括：在工艺过程中，获取实时监测的源瓶压力值和工艺腔室压力值；获取开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；根据拟合曲线，确定与源瓶压力值、工艺腔室压力值对应的开阀角度值；根据开阀角度值，控制位置阀调整开阀角度的大小，从而保证进入工艺腔室的反应源的量一致，保证工艺的重复精度，提高反应源的利用率。

本发明授权一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备反应源控制方法，其特征在于，所述半导体设备包括源瓶、管路和工艺腔室；所述管路包括第一管路和第二管路，其中，所述第一管路的一端为进气端，另一端插入所述源瓶的源液中；所述第二管路的一端插入所述源瓶中的液面上方，另一端与所述工艺腔室连通，且所述第二管路上在从所述源瓶到所述工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，所述第一压力规用于检测源瓶的压力；所述工艺腔室上设置有第二压力规，所述第二压力规用于检测工艺腔室的压力，所述方法包括： 在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值； 获取所述位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；所述拟合曲线用于表征所述位置阀的开阀角度值与所述源瓶压力值和所述工艺腔室压力值的映射关系； 根据所述拟合曲线，确定与所述当前源瓶压力值和所述当前工艺腔室压力值对应的所述位置阀的目标开阀角度值； 根据所述目标开阀角度值，控制所述位置阀调整开阀角度。

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