西北工业大学赵永强获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于Rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115130307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210768845.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于Rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法是由赵永强;汤超龙设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Rsoft的微纳光栅边缘堆积填充缺陷仿真分析方法，利用Rsoft软件搭建第一微纳光栅模型，并为第一微纳光栅模型赋参数值；在第一微纳光栅模型靠近光栅槽的光栅层上添加边缘堆积模型，且在光栅槽内添加填充缺陷模型，得到第二微纳光栅模型；分别变换边缘堆积模型的宽度误差参数、高度误差参数以及填充缺陷模型的宽度误差参数、深度误差参数，并进行仿真分析，得到第二微纳光栅模型的光谱响应曲线；本发明可以指导微纳光栅设计分析，提高微纳光栅制备成功率，降低制备成本。
本发明授权一种基于Rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Rsoft的微纳光栅边缘堆积填充缺陷仿真分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 利用Rsoft软件搭建第一微纳光栅模型，并为所述第一微纳光栅模型赋参数值； 在所述第一微纳光栅模型靠近光栅槽的光栅层上添加边缘堆积模型，且在所述光栅槽内添加填充缺陷模型，得到第二微纳光栅模型； 其中，所述边缘堆积模型靠近所述光栅槽的侧面为平面、远离所述光栅槽的侧面为阶梯面；所述边缘堆积模型靠近所述光栅槽侧面的面为平面、远离所述光栅槽侧面的面为阶梯面，且所述边缘堆积模型的平面与所述光栅槽侧面贴合； 分别变换所述边缘堆积模型的宽度误差参数、高度误差参数以及所述填充缺陷模型的宽度误差参数、深度误差参数，并进行仿真分析，得到所述第二微纳光栅模型的光谱响应曲线。
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