买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210712707.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法是由许晟瑞;刘旭;贠博祥;张涛;张雅超;薛军帅;王心颢;卢灏;徐爽;高源;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaNYAlNGaN异质结的CMOS器件及其制造方法，主要解决现有GaN基CMOS载流子浓度和迁移率低的问题。其自下而上包括：衬底、缓冲层、GaNn型沟道层、YAlN势垒层、GaNp型沟道层、p‑GaN层、绝缘栅介质层，中间设有深度至n型沟道层中部的隔离槽；隔离槽右侧的p‑GaN层上设有右栅电极，且YAlN势垒层两端设有右源、漏电极，形成n型场效应管；隔离槽左侧的绝缘栅介质层上设有左栅电极，其p‑GaN层两端设有左源、漏电极，形成p型场效应管，这两个场效应管互联。本发明能提升CMOS器件载流子浓度和迁移率，提高器件工作频率和输出功率，可用于全GaN功率系统。

本发明授权基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaNYAlNGaN异质结的CMOS器件，其自下而上包括：衬底1、缓冲层2、GaNn型沟道层3、势垒层4、p-GaN层6、绝缘栅介质层7，p-GaN层6、势垒层4和GaNn型沟道层3中间设有隔离槽8，隔离槽8的深度至GaNn型沟道层3中部；隔离槽8右侧的p-GaN层6上设有右栅电极9，隔离槽8右侧的势垒层4两端设有右源电极10、右漏电极11，形成n型场效应管n-FET；隔离槽8左侧的绝缘栅介质层7上设有左栅电极12，隔离槽8左侧的p-GaN层6两端设有左源电极13、左漏电极14，形成p型场效应管p-FET，其特征在于： 所述隔离槽8两侧的p-GaN层6与势垒层4与之间增设有厚度为20nm-40nm的未掺杂的GaNp型沟道层5，以提升载流子迁移率； 所述势垒层4采用Al组分为85％-94％、厚度为15nm-30nm的YAlN材料，以降低势垒层应变，增强势垒层的极化强度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。