东南大学朱建雄获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利激光诱导石墨烯的P-N结氢气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115266841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210691291.8，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权激光诱导石墨烯的P-N结氢气传感器及其制备方法是由朱建雄;张志胜;温海营;张慧设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本激光诱导石墨烯的P-N结氢气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种激光诱导石墨烯的P‑N结氢气传感器及其制备方法。本申请在柔性基底上通过激光诱导方式形成有相互连贯的N型石墨烯结构与P型石墨烯结构，并在石墨烯结构表面沉积有金属颗粒。本申请利用金属颗粒与氢气耦合反应，在N型石墨烯结构与P型石墨烯结构之间连贯导通形成的P‑N结处形成空间电荷区，通过空间电荷区中因P‑N结传感器件的金属颗粒石墨烯以及P‑N结双增强效应所产生的氢致电阻变化提供传感电流信号，从而通过检测P‑N结氢气传感器件的电流变化实现对氢气浓度的辨识。本申请制备成本低，测试精度高，可通过激光诱导技术同时在大面积柔性基底上煅烧形成大规模氢气传感器，实现大规模批量生产。
本发明授权激光诱导石墨烯的P-N结氢气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光诱导石墨烯的P-N结氢气传感器，其特征在于，包括： 柔性基底； N型石墨烯结构（3），其由激光诱导在第一预设温度范围内煅烧而形成； P型石墨烯结构（5），其由激光诱导在第二预设温度范围内煅烧而形成； 所述N型石墨烯结构（3）与P型石墨烯结构（5）的表面沉积有金属颗粒（4），并且，所述N型石墨烯结构（3）与P型石墨烯结构（5）之间相互连接形成至少一对接端，所述N型石墨烯结构（3）与P型石墨烯结构（5）由所述对接端并排相对设置并且相互导通； 其中，所述柔性基底为以下任一种：聚酰亚胺PI薄膜，聚醚酰亚胺（PEI）薄膜、聚醚醚酮（PEEK）薄膜、聚苯硫醚（PPS）薄膜； 第一预设温度范围设置在250℃至450℃之间，或者设置在800℃至1000℃之间； 所述第二预设温度范围设置为低于250℃，或者设置在450℃至800℃之间。
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