长鑫存储技术有限公司陈啸宸获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝阵列架构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115171764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210664729.3，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权反熔丝阵列架构及存储器是由陈啸宸设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝阵列架构及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列架构及存储器，反熔丝阵列架构，包括：多个反熔丝存储阵列，其中，不同的反熔丝存储阵列基于不同的时钟信号驱动；第一控制模块，耦接多个反熔丝存储阵列，被配置为，基于初始时钟信号和多个选择信号产生一个子时钟信号，子时钟信号用于驱动相对应的一个反熔丝存储阵列。本公开实施例通过设计一种新的反熔丝阵列架构，以引入更多反熔丝存储单元，且对反熔丝电路内逻辑电路的改动较小，适用于集成度日益增加的DRAM芯片。
本发明授权反熔丝阵列架构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝阵列架构，其特征在于，包括： 多个反熔丝存储阵列，其中，不同的所述反熔丝存储阵列基于不同的时钟信号驱动； 第一控制模块，耦接多个所述反熔丝存储阵列，被配置为，基于初始时钟信号和多个选择信号产生一个子时钟信号，所述子时钟信号用于驱动相对应的一个所述反熔丝存储阵列； 所述第一控制模块包括：多个级联的信号选择单元，每一级所述信号选择单元分别接收一个所述选择信号； 其中，每一级所述信号选择单元用于根据所述选择信号将时钟信号输入端接收的信号通过第一输出端传至下一级所述信号选择单元的时钟信号输入端，每一级所述信号选择单元的第二输出端用于根据所述选择信号输出所述子时钟信号，第一级所述信号选择单元的时钟信号输入端接收所述初始时钟信号，最后一级所述信号选择单元的第一输出端和第二输出端用于根据所述选择信号输出所述子时钟信号；每一级所述信号选择单元输出的所述子时钟信号对应一个所述反熔丝存储阵列。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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