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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种3D NAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115171760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210552386.1，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权一种3D NAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法是由魏德宝;吴艳;朴哲龙;乔立岩;冯骅;彭喜元设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3D NAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于标记层的3DNAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法，首先在数据存储的初期离线获取块中的标记层，并将其记录到存储元数据区域，在数据存储的周期中，可以通过对标记层的感知快速获取块粒度的阈值电压分布，并进而得到优化读参考电压等基于阈值电压分布的可靠性管理参数；本发明通过对闪存阈值电压分布层间差异的深入表征，利用提出的标记层方法，显著减少了获取块粒度阈值电压分布的管理开销，提升了读取性能；实现了块粒度优化读参考电压的快速感知，可适配于现有的诸多基于读参考电压优化的闪存可靠性管理策略。

本发明授权一种3D NAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法在权利要求书中公布了：1.一种基于标记层的3DNAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法，其特征在于： 所述方法具体包括以下步骤： 步骤一：首先在数据存储的初期离线获取块粒度中各相邻状态对的标记层，并将其记录到存储元数据区域； 在步骤一中具体包括以下步骤： 步骤1.1、写入数据并施加驻留损失应力，以让存储数据越过早期不稳定的快速驻留损失阶段，并表现出长期驻留损失错误模式； 步骤1.2、逐层获取目标对相邻状态的分布； 步骤1.3、获取整个块的目标对相邻状态的分布，并除以层数得到归一化的块粒度分布； 步骤1.4、逐层计算层粒度分布与归一化块粒度分布间的均方根误差RMSE； 步骤1.5、检索步骤1.4中所得的RMSE序列中的最小值，将其对应的层编号记录为目标对相邻状态的标记层； 步骤1.6、将步骤1.5中所得的标记层序号记录到闪存的元数据区域，供后期数据存储周期内调用； 步骤二：在数据存储的周期中，通过对标记层的感知快速获取块粒度的阈值电压分布； 在步骤二中，在执行两轮步骤1.6后，利用标记层预测的块粒度优化读参考电压进行读取，减少误码位数； 步骤三：根据块粒度的阈值电压分布得到优化读参考电压。

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