SKC索密思株式会社李乾坤获国家专利权
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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115373214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210553251.7，技术领域涉及：G03F1/50；该发明授权空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法是由李乾坤;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;孙晟熏;郑珉交设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法，所述空白掩模包括透光基板以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。遮光膜包括第一遮光层和配置在所述第一遮光层上的第二遮光层。下述式1中的遮光膜的Rd值为0.4至0.8。[式1]Rd＝er2er1。在上述式1中，所述er1值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第一遮光层的蚀刻速度。所述er2值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第二遮光层的蚀刻速度。根据本发明的空白掩模，在对遮光膜进行图案化时能够有效地抑制图案的分辨率低下。
本发明授权空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种空白掩模，其中，包括： 透光基板；以及 遮光膜，配置在所述透光基板上， 所述遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种， 所述遮光膜包括第一遮光层和配置在所述第一遮光层上的第二遮光层， 下述式1中的所述遮光膜的Rd值为0.4至0.8， [式1] 在上述式1中， 所述er1值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第一遮光层的蚀刻速度， 所述er2值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第二遮光层的蚀刻速度， 所述er2值为至
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