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龙图腾网获悉上海空间电源研究所申请的专利一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114977093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210551221.2，技术领域涉及：H02H3/20；该发明授权一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路是由葛科勇;刘丽娟;汪超;史传洲;张丽;桂仁;王邦兴;张建琴;王辉;王中禹;宋志鹏;赵强设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路在说明书摘要公布了：一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路，实现了宇航用高压母线输入配电MOS管的欠压及过压保护锁死功能。电路包括上下限电压检测单元，配电MOS管通断单元和保护锁死单元。上下限电压检测单元包括限流电阻，电压调整管和二极管，可以生成母线输入的欠过压保护信号并传递至MOS管通断单元。MOS管通断单元包括PMOS管，分压电阻，驱动三极管，可以实现对输入母线的开通与关断。保护锁死单元包括一对NPN和PNP三极管，当保护信号发出后实现对配电MOS管的锁死，待欠过压信号解除并重新通电后方能解锁。本发明的电路，欠压、过压检测由同一电路实现，配电MOS关断时不会造成电源重启，避免在保护点的震荡，结构简单，利于电源小型化，节约成本。

本发明授权一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路在权利要求书中公布了：1.一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路，其特征在于：包括上下限电压检测单元、配电MOS管开关单元及保护锁死单元；上下限检测单元同时对母线输入过压和欠压信号进行判断，并产生关断信号给配电MOS管开关单元，配电MOS管开关断开后，保护锁死单元维持配电MOS管开关单元的断开状态，待母线输入电压重启后，解除保护锁死功能； 所述上下限检测单元包括齐纳二极管D1；所述保护锁死单元包括与配电MOS管开关单元复用的PNP三极管Q1、NPN三极管Q2、限流电阻R3、限流电阻R4、限流电阻R5、限流电阻R6、分压电阻R11、去耦电容C2、电容C3、限流电阻R12、齐纳二极管D9、二极管D4、二极管D7和二极管D8； PNP三极管Q1基极通过限流电阻R4连接齐纳二极管D1的阴极；NPN三极管Q2集电极通过限流电阻R3连接齐纳二极管D1的阴极，NPN三极管Q2基极通过限流电阻R5连接二极管D7的阴极，二极管D7的阳极连接齐纳二极管D9的阳极，齐纳二极管D9的阴极通过限流电阻R12连接母线输出端；二极管D8阳极连接齐纳二极管D9的阳极；NPN三极管Q2的射极连接二极管D4阳极，二极管D4阴极连接回线；二极管D7的阴极通过分压电阻R11连接回线，去耦电容C2与分压电阻R11并联；电容C3一端连接回线，另一端连接二极管D8阳极； PNP三极管Q1或NPN三极管Q2任意一个集-射极导通后，电流都会通过连接的限流电阻流入另一个三极管的基极，使其保持导通，达到互锁的目的。

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