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龙图腾网获悉中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院申请的专利一种采用高速激光熔覆工艺制备陶瓷基复合涂层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116479417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210534572.2，技术领域涉及：C23C24/10；该发明授权一种采用高速激光熔覆工艺制备陶瓷基复合涂层的方法是由何鹏飞;张志彬;孙川;王鑫;梁秀兵;胡振峰;李思源;张舒研设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用高速激光熔覆工艺制备陶瓷基复合涂层的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种采用高速激光熔覆工艺制备陶瓷基复合涂层的方法，包括如下步骤：对基体进行除锈、除油预处理；将ZrB2‑SiC复合陶瓷粉体在50‑70℃条件下进行干燥处理；将ZrB2‑SiC复合陶瓷粉体装入高速激光熔覆设备的送粉器中，送入到配备有同步送粉头的高速激光熔覆设备内，将高速熔覆激光头发射激光形成的激光焦点与同步送粉头送粉形成的粉斑焦点重合，然后调节两个焦点的重合位置位于基体表面上方1‑1.5mm的距离，并在局部惰性气体保护氛围下对基体进行高速激光熔覆。本发明利用高速激光熔覆将纯陶瓷粉体熔覆在普通铁基合金表面，通过工艺参数的优化，调控高速激光熔覆过程中的稀释效应，形成连续梯度的陶瓷基复合涂层。

本发明授权一种采用高速激光熔覆工艺制备陶瓷基复合涂层的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用高速激光熔覆工艺制备陶瓷基复合涂层的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1）对基体进行除锈、除油预处理； 2）将ZrB2-SiC复合陶瓷粉体在50-70℃条件下进行干燥处理20-40分钟； 3）将ZrB2-SiC复合陶瓷粉体装入高速激光熔覆设备的送粉器中，送入到配备有同步送粉头的高速激光熔覆设备内，将高速熔覆激光头发射激光形成的激光焦点与同步送粉头送粉形成的粉斑焦点重合，然后调节两个焦点的重合位置位于基体表面上方1-1.5mm的距离，并在局部惰性气体保护氛围下对基体进行高速激光熔覆； 其中，高速激光熔覆的工艺参数为：激光功率2-3kW，扫描速度80-150mms，送粉速率3.7-4.1gmin，搭接率70%-90%，光斑直径2-3mm； 所述基体为铁基合金； 步骤2）所述ZrB2-SiC复合陶瓷粉体的制备方法为： a.将ZrB2超细粉和SiC超细粉按照ZrB2超细粉占70wt%、SiC超细粉占30wt%的比例混合备料成混合料； b.将混合料按照固含量为25-40wt%的比例加入到蒸馏水中，然后加入2-5wt%的粘接剂，在高速磁力搅拌条件下制成浆料，其中搅拌速度为1000-1500转分，搅拌时间为40-60min； c.采用喷雾造粒设备制备球形ZrB2-SiC复合陶瓷粉体，进风温度170-190℃，出口温度120-140℃，风机频率20-25Hz，进料速度35-45转分； d.粉体过筛：将粉体经过400目筛网过筛，得到粒径小于等于38μm的ZrB2-SiC复合陶瓷粉体。

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